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3DD3040A6

更新时间： 2024-09-24 15:19:51

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TO-126

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3DD3040A6 数据手册

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管

○

3DD3040 A6

产品概述

特征参数

产品特点

● 开关损耗低

符号

3DD3040 A6 是硅 NPN

额定值

450

单位

● 反向漏电流小

V_CEO

型功率开关晶体管，该产品

采用平面工艺，分压环终端

结构和少子寿命控制技术，

提高了产品的击穿电压、开

关速度和可靠性。

● 高温特性好

I_C

● 反向击穿电压高

● 可靠性高

P_tot（T_C=25℃）

封装 TO-126

应用

● 充电器

● 适配器

● 一般功率开关电路

存储条件和焊接温度

内部结构图

存放有效期

存放条件

环境温度-10℃～40℃

相对湿度＜85％

极限耐焊接热

1 年

265℃

极限值 (除非另有规定，T_a= 25℃)

参数名称

符号

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

额定值

单位

700

集电极-基极电压

450

集电极-发射极电压

发射极-基极电压

集电极直流电流

I_CM

集电极脉冲电流（tp＜5ms）

基极直流电流

I_B

I_BM

基极脉冲电流（tp＜5ms）

Ta=25℃

1.3

P_tot

耗散功率

Tc=25℃

T_j

150

℃

结温

T_stg

贮存温度

-55～150

热阻

参数名称

符号

最小值

典型值

最大值

单位

结到壳的热阻

R_θJC

2.5

℃/W

结到环境的热阻

R_θJA

96.2

℃/W

无锡华润华晶微电子有限公司

2015V01

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