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3DD303B

更新时间： 2024-11-11 06:25:07

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	72K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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3DD303B 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

3DD303B

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 60V(Min)

·Collector-Emitter Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 0.6V(Max) @I_C= 0.5A

APPLICATIONS

·Designed for B/W TV vertical output applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

UNIT

100

Collector Current-Continuous

Collector Power Dissipation

@ T_C=75℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

2.5

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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