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3DD301C

更新时间： 2024-09-23 07:40:43

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
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2页	71K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

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3DD301C 数据手册

INCHANGE Semiconductor

isc Product Specification

isc Silicon NPN Power Transistor

3DD301C

DESCRIPTION

·Collector-Emitter Breakdown Voltage-

: V_(BR)CEO= 100V(Min)

·Collector-Emitter Saturation Voltage-

: V_CE(sat)= 2.0V(Max) @I_C= 3A

APPLICATIONS

·Designed for B/W TV vertical output applications.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T_a=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VALUE

200

100

UNIT

Collector Current-Continuous

Collector Power Dissipation

@ T_C=25℃

P_C

℃

T_J

Junction Temperature

150

-55~150

Storage Temperature Range

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal Resistance,Junction to Case

2.5

℃/W

R_{th j-c}

isc Website：www.iscsemi.cn

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