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3DD301B

更新时间: 2024-11-11 06:25:07
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无锡固电 - ISC 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
2页 71K
描述
isc Silicon NPN Power Transistor

3DD301B 数据手册

 浏览型号3DD301B的Datasheet PDF文件第2页 
INCHANGE Semiconductor  
isc Product Specification  
isc Silicon NPN Power Transistor  
3DD301B  
DESCRIPTION  
·Collector-Emitter Breakdown Voltage-  
: V(BR)CEO= 50V(Min)  
·Collector-Emitter Saturation Voltage-  
: VCE(sat)= 2.0V(Max) @IC= 3A  
APPLICATIONS  
·Designed for B/W TV vertical output applications.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25)  
SYMBOL  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
PARAMETER  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
VALUE  
UNIT  
V
80  
50  
V
4
5
V
Collector Current-Continuous  
A
Collector Power Dissipation  
@ TC=25℃  
PC  
30  
W
TJ  
Junction Temperature  
150  
-55~150  
Storage Temperature Range  
Tstg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
PARAMETER  
MAX  
UNIT  
Thermal Resistance,Junction to Case  
2.5  
/W  
Rth j-c  
isc Websitewww.iscsemi.cn  

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