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3DD2334

更新时间： 2024-09-22 23:21:07

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硅NPN型高反压大功率晶体管 =2SD2334

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3DD2334 数据手册

晶分立器件

3DD2334

低放大管壳定双极型晶体管

1 概述与特点

3DD2334 硅 NPN 型高反压大功率晶体管主要用作 21 英寸彩电开关电源该产品采用台面

结构工艺其特点如下

具有击穿电压高漏电流小

开关速度快

饱和压降低

电流特性好

封装形式 TO-3P(H)IS

5. 5max

3max

3. 6

15. 5max

2 电特性

2.1 极限值

除非另有规定 T_amb= 25

参数名称

集电极-发射极电压

集电极-基极电压

发射极-基极电压

集电极电流

符号

V_CE0

V_CB0

V_EB0

I_C

额定值

650

单位

标

记

1500

2max

0. 75max

Ta=25

耗散功率

3.5

3. 3mi n

P_tot

0. 9max

5. 45 5. 45

Tc=25

结温

T_j

150

贮存温度

T_stg

-55 150

2.2 电参数

除非另有规定 T_amb= 25

规范值

参数名称

符号

测试条件

单位

最小典型最大

集电极-基极截止电流

发射极-基极截止电流

I_CB0

I_EB0

V_CB=1500V, I_E=0

V_EB=5V, I_C=0

共发射极正向电流传输比

的静态值

h_FE

V_CE=5V, I_C=1A

集电极-发射极饱和电压

基极-发射极饱和电压

V_CEsat

I_C=4A, I_B=1.2A

V_BEsat

I_C=4A, I_B=1.2A

V_CC=105V, I_C=4A

2I_B1=-I_B2=1.2A

V_CE=10V, I_C=100mA

f=0.3MHz

1.5

下降时间

t_f

0.8

特征频率

f_T

MHz

a: 脉冲测试 tp 300 s,

无锡华晶微电子股份有限公司

电话

地址江苏省无锡市梁溪路 14 号

0510 5807228-2268 2299

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0510

5800360

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