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3DD15D

更新时间： 2024-09-23 07:40:43

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无锡固电 - ISC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	130K
描述
Silicon NPN Power Transistors

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3DD15D 数据手册

Inchange Semiconductor

Product Specification

Silicon NPN Power Transistors

3DD15D

DESCRIPTION

·With TO-3 package

·High breakdown voltage

·Low collector saturation voltage

APPLICATIONS

·For B/W TV horizontal output and

power amplifier applications

PINNING

DESCRIPTION

Base

Emitter

Fig.1 simplified outline (TO-3) and symbol

Collector

Absolut maximum ratings (Ta=25℃)

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

PARAMETER

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

CONDITIONS

VALUE

300

UNIT

Open emitter

Open base

200

Open collector

P_C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

T_C=75℃

℃

T_j

-55~175

T_stg

THERMAL CHARACTERISTICS

SYMBOL

PARAMETER

MAX

UNIT

Thermal resistance junction to case

2.0

℃/W

R_{th j-c}

12 3

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