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3DD15149

更新时间： 2024-11-12 17:01:39

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3DD15149 数据手册

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管芯片

○

3DD15149

产品概述

该芯片在采用适当的封装工艺以后，可以形成多种封装形式的硅 NPN功率晶体管，主要用于电

子充电器、电子变压器的功率开关电路。

芯片数据

芯片示意图

芯片尺寸(mm×mm)

芯片厚度(µm)

基

1.49×1.49

260

区

182×182

201×186

铝/4.5µm

银

键合区面积

(µm²)

发射区

正面电极金属/厚度

背面电极金属

硅片直径(mm)

φ125 或φ150

焊料装片

装片要求

极限值（除非另有规定，T_a= 25℃）

参数名称

符号

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

额定值

800

450

单位

推荐的封装形式

集电极-基极电压

集电极-发射极电压

发射极-基极电压

集电极直流电流

1.5

I_CM

集电极脉冲电流（tp＜5ms）

基极直流电流

I_B

0.7

TO-126

I_BM

P_tot

1.5

基极脉冲电流（tp＜5ms）

1.25

Ta=25℃

耗散功率

Tc=25℃

T_j

150

结温

℃

T_stg

贮存温度

-55～150

电特性（除非另有规定，T_a= 25℃）

规范值

参数名称

符号

测试条件

单位

最大

0.1

最小典型

I_CBO

I_CEO

V_CB=800V, I_E=0

V_CE=450V, I_B=0

V_EB=9V, I_C=0

I_C=0.1mA

集电极-基极截止电流

集电极-发射极截止电流

发射极-基极截止电流

集电极-基极电压

0.1

I_EBO

0.1

V_CBO

V_CEO

V_EBO

800

450

I_C=1mA

集电极-发射极电压

I_E=0.1mA

发射极-基极电压

无锡华润华晶微电子有限公司

2015V01

1 / 3

12 3

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