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3DD15133D

更新时间： 2024-09-24 15:18:39

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3DD15133D 数据手册

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管芯片

○

M3DD15133D

产品概述

该芯片在采用适当的封装工艺以后，可以形成多种封装形式的硅 NPN 功率晶体管，主要用于手

机充电器、电子变压器的功率开关电路。

芯片数据

芯片示意图

芯片尺寸(mm×mm)

芯片厚度(µm)

1.33×1.33

230

基

区

180×160

170×143

铝 / 4.5

金/银

键合区尺寸

(µm×µm)

发射区

正面电极金属/厚度(µm)

背面电极金属

硅片直径(mm)

装片要求

φ150

共晶

极限值（除非另有规定，T_a= 25℃)

参数名称

符号

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

额定值

800

450

单位

推荐的封装形式

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

集电极-基极电压

集电极-发射极电压

发射极-基极电压

集电极直流电流

1.3

I_CM

2.6

I_CM

集电极脉冲电流（tp＜5ms）

基极直流电流

TO-92

I_B

0.65

I_B

I_BM

1.3

I_BM

基极脉冲电流（tp＜5ms）

P_tot

T_j

0.8

150

℃

耗散功率

结温

T_stg

贮存温度

-55～150

电特性（除非另有规定，T_a= 25℃)

规范值

参数名称

符号

测试条件

单位

最大

0.1

最小典型

I_CBO

I_CEO

V_CB=800V, I_E=0

V_CE=450V, I_B=0

V_EB=9V, I_C=0

I_C=0.1mA

集电极-基极截止电流

集电极-发射极截止电流

发射极-基极截止电流

集电极-基极电压

0.1

I_EBO

0.1

V_CBO

V_CEO

V_EBO

800

450

I_C=1mA

集电极-发射极电压

I_E=0.1mA

发射极-基极电压

无锡华润华晶微电子有限公司

2015V01

1 / 3

12 3

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