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3DD15113

更新时间： 2024-09-24 17:01:27

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华润微 - CRMICRO		/
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3DD15113 数据手册

Silion NPN Triple Diffused Plannar Transistor

○

M3DD15113

General Description

This chip can be turned into various silion NPN triple diffused plannar transistor by using different

package format, mainly used in power switch circuit of electronic rectifier and energy-saving

lamp.

Die Data

Die Drawing

Die Size (mm×mm)

Die Thickness (µm)

1.13×1.13

250

Bonding Pad

Base

161×134

144×145

AL/4.5µm

Size

(µm²)

Emitter

Front Metal / Thickness

Back Metal

Wafer Diameter (mm)

Die Attach Method

φ150

Eutectic Welding

Absolute Maximum Ratings (Ta= 25℃ unless otherwise noted)

Parameter

Collector-Base Voltage

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Value

800

500

Unit

Recommend Package

Collector-Emitter Voltage

Emitter- Base Voltage

0.8

1.6

0.4

Collector Current（DC）

Collector Peak Current（tp＜5ms）

Base Current（DC）

I_CM

TO-92

I_B

I_BM

0.8

Base Peak Current（tp＜5ms）

Total Power Dissipation

Junction Temperature

P_tot

T_j

0.8

150

℃

Storage Temperature Range

T_stg

-55～150

WUXI CHINA RESOURCES HUAJING MICROELECTRONICS CO.，LTD.

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2015V01

12 3

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