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3DD14160D

更新时间： 2024-11-10 15:18:55

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3DD14160D 数据手册

硅 NPN 低频放大双极型晶体管芯片

○

M3DD14160D

产品概述

该芯片在采用适当的封装工艺以后，可以形成多种封装形式的硅 NPN 功率晶体管，主要用于电

子镇流器、电子节能灯的功率开关电路。

芯片数据

芯片示意图

芯片尺寸(mm×mm)

芯片厚度(µm)

1.60×1.60

260±20

划片道宽度(µm)

基

区

182×201

296×218

铝/4.5µm

银

键合区面积

(µm²)

发射区

正面电极金属/厚度

背面电极金属

硅片直径(mm)

装片要求

φ125

焊料

极限值（除非另有规定，Ta= 25℃）

参数名称

符号

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

额定值

800

单位

推荐的封装形式

集电极-基极电压

集电极-发射极电压

发射极-基极电压

集电极电流

450

1.8

TO-126

1.25

Ta=25℃

耗散功率

P_tot

Tc=25℃

T_j

150

结温

℃

T_stg

贮存温度

-55～150

电特性（除非另有规定，Ta= 25℃）

规范值

参数名称

符号

测试条件

单位

最小典型最大

I_CBO

I_CEO

I_EBO

V_CBO

V_CEO

V_EBO

V_CB=800V, I_E=0

V_CE=450V, I_B=0

V_EB=9V, I_C=0

I_C=0.1mA

I_C=1mA

I_E=0.1mA

0.1

集电极-基极截止电流

集电极-发射极截止电流

发射极-基极截止电流

集电极-基极电压

集电极-发射极电压

发射极-基极电压

共发射极正向电流传输比的静

态值

0.1

800

450

h_FE

V_CE=5V, I_C=0.2A

无锡华润华晶微电子有限公司

2018V01

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