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3DD13003N3D

更新时间： 2023-12-06 20:11:46

品牌	Logo	应用领域
江苏长电/长晶 - CJ		/
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3页	706K
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TO-126

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3DD13003N3D 数据手册

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-126 Plastic-Encapsulate Transistor

3DD13003N3D ^{TRANSISTOR (NPN)}

TO – 126

FEATURES

Power switching applications

1. BASE

Good high temperature

Low saturation voltage

High speed switching

2. COLLECTOR

3. EMITTER

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆ

Equivalent Circuit

Logo

13003N3D

13003N3D,!ꢀ-ꢁꢂꢀꢃꢂo.ꢀꢃ

ORDERING INFORMATION

Part Number

Package

TO-126

Packing Method

Pack Quantity

200pcs/Bag

60pcs/Tube

3DD13003N3D

Bulk

3DD13003N3D-TU

Tube

MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage

Value

700

400

Unit

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Operation Junction and Storage Temperature Range

1.5

P_C

1.25

T_J,T_stg

-55~150

℃

www.jscj-elec.com

Rev. - 2.0

12 3

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