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3DD13003H6D

更新时间： 2024-11-08 17:02:15

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TO-126

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3DD13003H6D 数据手册

硅三重扩散 NPN 双极型晶体管

○

3DD13003 H6D

产品概述

特征参数

产品特点

● 开关损耗低

● 反向漏电流小

● 高温特性好

● 合适的开关速度

● 可靠性高

符号

V_CEO

额定值

400

单位

3DD13003 H6D 是硅

NPN型功率开关晶体管，该

产品采用平面工艺，分压环

终端结构和少子寿命控制

技术，集成了有源抗饱和网

络，提高了产品的击穿电

压、开关速度和可靠性。

I_C

1.8

_tot（T_c=25℃）

封装 TO-126

应用

● 紧凑型电子节能灯

● 电子镇流器

● 一般功率开关电路

存储条件和焊接温度

内部结构图

存放有效期

存放条件

环境温度-10℃～40℃

相对湿度＜85％

极限耐焊接热

1 年

265℃

极限值（除非另有规定，T_a= 25℃）

参数名称

符号

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

额定值

600

400

单位

集电极-基极电压

集电极-发射极电压

发射极-基极电压

集电极直流电流

1.8

I_CM

3.6

集电极脉冲电流（tp＜5ms）

基极直流电流

I_B

0.9

I_BM

1.8

基极脉冲电流（tp＜5ms）

1.25

Ta=25℃

P_tot

耗散功率

150

Tc=25℃

T_j

℃

结温

T_stg

贮存温度

-55～150

热阻

参数名称

符号

最小值

典型值

最大值

单位

结到壳的热阻

R_θJC

2.5

℃/W

结到环境的热阻

R_θJA

100

℃/W

无锡华润华晶微电子有限公司

2015V01

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