3DD13003B

更新时间： 2024-09-22 07:40:43

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WEITRON		晶体小信号双极晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	140K
描述
NPNPlastic-Encapsulate Transistor

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3DD13003B 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.51
Is Samacsys：	N	Base Number Matches：	1

3DD13003B 数据手册

WEITRON

3DD13003B

NPNPlastic-Encapsulate Transistor

P b

Lead(Pb)-Free

1. EMITTER

2. COLLECTOR

3. BASE

FEATURES :

• power switching applications

TO-92

MAXIMUM RATINGS (T_A=25°Cunless otherwise noted)

Parameter

Collector-Base Voltage

Symbol

VCBO

Value

Units

700

400

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

VCEO

°C

VEBO

Tstg

Collector Current -Continuous

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

1.5

0.9

150

-55 to +150

Storage Temperature

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

Test conditions

MIN TYP MAX Units

IC= 1mA, IE=0

Collector-base breakdown voltage

700

V(BR)CBO

400

V(BR)CEO IC= 10mA, IB=0

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

(BR)EBO

IE= 1mA, IC=0

ICBO

µA

VCB= 700V, IE=0

VCE= 400V, IB=0

VEB= 7V, IC=0

100

Collector cut-off current

Emitter cut-off current

DC current gain

ICEO

IEBO

hFE

VCE= 10V, IC= 0.4 A

VCE(sat)1 IC=1.5A,IB= 0.5A

VCE(sat)2 IC=0.5A, IB= 0.1A

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition Frequency

0.8

IC=0.5A, IB=0.1A

VBE(sat)

VCE=10V,IC=100mA,

f =1MHz

MHz

f T

t _f

µs

0.7

IC=1A

Fall time

Storage time

t s

IB1=-IB2=0.2A

CLASSIFICATION OF h_FE

Rank

20-25

Range

25-30

30-35

35-40

WEITRON

hpp://www.weitron.com.tw

10-Nov-2010

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12 3

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