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3CA8772

更新时间： 2024-11-11 21:55:59

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TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors

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3CA8772 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors

3CA8772 TRANSISTOR（ PNP ）

TO— 126

FEATURES

Power dissipation

1. EMITTER

2.COLLECTOR

3.BASE

P_CM: 1.25

Collector current

I_CM: -3

W（Tamb=25℃）

Collector-base voltage

V_(BR)CBO: -40

1 2 3

Operating and storage junction temperature range

T_J，T_stg: -55℃ to +150℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Tamb=25℃

unless otherwise specified）

Parameter

Symbol

V(BR)_CBO

V(BR)_CEO

V(BR)_EBO

I_CBO

Test

conditions

MIN

-40

TYP

MAX

UNIT

Ic=-100μA ，I_E=0

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C= -10mA , I_B=0

-30

-6

I_E= -100 μA，I_C=0

μA

V_CB= -40 V , I_E=0

V_CE=-30 V , I_B=0

V_EB=-6V , I_C=0

V_CE= -2V, I_C= -1A

I_C=-2A, I_B= -0.2A

-10

400

-0.5

Collector cut-off current

I_CEO

Emitter cut-off current

I_EBO

DC current gain

h_FE

Collector-emitter saturation voltage

V_CE(sat)

V_CE= -5V, I =-0.1A

Transition frequency

MHz

f = 10MHz

CLASSIFICATION OF hFE

(1)

Rank

Range

60-120

100-200

160-320

200-400

12 3

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