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3CA772Y

更新时间： 2024-11-12 19:44:39

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江苏长电/长晶 - CJ		局域网晶体管
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Transistor

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3CA772Y 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.77
最大集电极电流 (IC)：	3 A	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	160
JEDEC-95代码：	TO-126	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	1.25 W
最大功率耗散 (Abs)：	1.25 W	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	50 MHz
VCEsat-Max：	0.5 V	Base Number Matches：	1

3CA772Y 数据手册

JIANGSU CHANGJIANG ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD

TO-126 Plastic-Encapsulate Transistors

3CA772 TRANSISTOR (PNP)

TO – 126

FEATURES

1. BASE

High Current

Low Voltage

2. COLLECTOR

3. EMITTER

MAXIMUM RATINGS (T_a=25℃ unless otherwise noted)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Parameter

Collector-Base Voltage

Value

-40

Unit

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

-30

-6

Collector Current

-3

P_C

Collector Power Dissipation

Thermal Resistance From Junction To Ambient

Junction Temperature

1.25

100

R_θJA

T_j

℃/W

℃

150

T_stg

Storage Temperature

-55~+150

℃

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_a=25℃ unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)CBO

V_(BR)CEO

V_(BR)EBO

I_CBO

Test

conditions

Min

-40

-30

-6

Typ

Max

Unit

Collector-base breakdown voltage

Collector-emitter breakdown voltage

Emitter-base breakdown voltage

Collector cut-off current

I_C=-100µA,I_E=0

I_C=-10mA,I_B=0

I_E=-100µA,I_C=0

V_CB=-40V,I_E=0

-1

μA

Collector cut-off current

I_CEO

V_CE=-30V,I_B=0

-10

-1

Emitter cut-off current

I_EBO

V_EB=-6V,I_C=0

DC current gain

h_FE

V_CE=-2V, I_C=-1A

I_C=-2A,I_B=-0.2A

V_CE=-5V,I_C=-0.1A, f=10MHz

400

-0.5

-1.5

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)

V_BE(sat)

f_T

MHz

CLASSIFICATION OF h_FE

RANK

RANGE

60-120

100-200

160-320

200-400

A,Dec,2010

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