5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | DO-201AD | 包装说明： | O-PALF-W2 |
| 针数： | 2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 应用： | FAST RECOVERY | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.2 V |
| JEDEC-95代码： | DO-201AD | JESD-30 代码： | O-PALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 最大非重复峰值正向电流： | 140 A |
| 元件数量： | 1 | 相数： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最大输出电流： | 3 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 100 V |
| 最大反向恢复时间： | 1.5 µs | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 3BH41TPA2 | TOSHIBA |
获取价格 |
DIODE 3 A, 100 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, Rectifier Diode |
|
| 3BH61 | TOSHIBA |
获取价格 |
FAST RECOVERY DIODE |
|
| 3BR | ETC |
获取价格 |
SNAP-ACTION MICROSWITCHES |
|
| 3BR-103 | ETC |
获取价格 |
SNAP-ACTION MICROSWITCHES |
|
| 3BR510 | ETC |
获取价格 |
SNAP-ACTION MICROSWITCHES |
|
| 3BU05R | ALTECH |
获取价格 |
Thermal Magnetic Circuit Breaker, |
|
| 3BU10 | ALTECH |
获取价格 |
Thermal Magnetic Circuit Breaker, |
|
| 3BU10R | ALTECH |
获取价格 |
Thermal Magnetic Circuit Breaker, |
|
| 3BU12R | ALTECH |
获取价格 |
Thermal Magnetic Circuit Breaker, |
|
| 3BU13R | ALTECH |
获取价格 |
Thermal Magnetic Circuit Breaker, |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
