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30KPA70AE3

更新时间: 2024-01-01 12:07:47
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
8页 477K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 70V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, P600, 2 PIN

30KPA70AE3 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, PLASTIC, P600, 2 PIN
针数:2Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.7最大击穿电压:85.6 V
最小击穿电压:78.2 V外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJESD-30 代码:O-PALF-W2
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
最大非重复峰值反向功率耗散:30000 W元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:175 °C
最低工作温度:-55 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:8 W最大重复峰值反向电压:70 V
表面贴装:NO技术:AVALANCHE
端子面层:MATTE TIN端子形式:WIRE
端子位置:AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

30KPA70AE3 数据手册

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