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30KP45CA

更新时间： 2024-06-27 12:04:08

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RECTRON		/
页数	文件大小	规格书
6页	235K
描述
Package / Case : R-6;Mounting Style : Through Hole;Power Rating : 30000 W;Polarity : Bidirectional;Breakdown Voltage Vbr : 50.3 V;Operating Standoff Voltage : 45 V;Clamping Voltage Vc : 77.4 V;Max Peak Current Ipk : 391.5 A;Voltage Tolerance : 10%

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30KP45CA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	O-PALF-W2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.77	Is Samacsys：	N
其他特性：	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY	最大击穿电压：	55.3 V
最小击穿电压：	50 V	击穿电压标称值：	52.65 V
外壳连接：	ISOLATED	最大钳位电压：	73 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JESD-30 代码：	O-PALF-W2
JESD-609代码：	e3	最大非重复峰值反向功率耗散：	30000 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	BIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	7 W
最大重复峰值反向电压：	45 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

30KP45CA 数据手册

TVS

30KP

SERIES

GPP TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR

30000 WATT PEAK POWER 8.0 WATTS STEADY STATE

FEATURES

* Plastic package has underwriters laboratory

* Glass passivated chip construction

* 30000 watt surage capability at 1ms

* Excellent clamping capability

* Low zener impedance

R-6

* Fast response time

(

)

.052 1.3

DIA.

(

)

(

1.0 25.4

.048 1.2

MIN.

(

)

.360 9.1

(

)

.340 8.6

(

)

.360 9.1

DIA.

(

)

.340 8.6

(

)

1.0 25.4

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

MIN.

Ratings at 25 ^oC ambient temperature unless otherwise specified.

Dimensions in inches and (millimeters)

DEVICES FOR BIPOLAR APPLICATIONS

For Bidirectional use C or CA suffix for types 30KP28 thru 30KP400

Electrical characteristics apply in both direction

MAXIMUM RATINGS (At T

= 25^oC unless otherwise noted)

SYMBOL

VALUE

UNITS

RATINGS

Peak Pulse Power Dissipation with a 10/1000uS

waveform (Note 1)

PPM

Minimum 30000

SEE TABLE 1

Watts

Amps

Peak Pulse Current with a 10/1000uS waveform (Note 1)

IPPM

Steady State Power Dissipation at T

0.375” (9.5mm) (Note 2)

= 75^oC lead lengths

M(AV)

8.0

Watts

Amps

Peak Forward Surge Current, 8.3ms single half sine wave-

superimposed on rated load( JEDEC METHOD ) (Note 3)

FSM

400

A²Sec

⁰C

I²

Typical Current Squarad Time

664

, TSTG

-55 to + 175

Operating and Storage Temperature Range

NOTES : 1. Non-repetitive current pulse, per Fig.3 and derated above T

= 25^oC per Fig.2.

2018-06/70

REV:O

2. Mounted on copper pad area of 0.8 X 0.8” ( 20 X 20mm ) per Fig. 5

3. Measured on 8.3mS single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum.

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
30KP45CAE3TR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 45V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLA
30KP45CAHR	DIGITRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode
30KP45CA-LF	WTE	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 45V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,
30KP45CATR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 45V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLA
30KP45C-PBF	DIGITRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode
30KP45CTR	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 30000W, 45V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, PLA
30KP45CTRE3	MICROSEMI	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 45V V(RWM), Bidirectional,
30KP45-PBF	DIGITRON	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode
30KP45S	LGE	获取价格	Glass passivated junction chip
30KP45SA	LGE	获取价格	Glass passivated junction chip

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