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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> 2V7002LT3G
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2V7002LT3G

更新时间： 2024-09-17 12:50:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
4页 100K
描述
Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N.Channel SOT.23

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2V7002LT3G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Not Recommended
零件包装代码：SOT-23包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.1
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：60 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.115 A最大漏极电流 (ID)：0.115 A
最大漏源导通电阻：7.5 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：5 pFJEDEC-95代码：TO-236
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.3 W
参考标准：AEC-Q101子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2V7002LT3G 数据手册

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2N7002L, 2V7002L  
Small Signal MOSFET  
60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23  
Features  
• 2V Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Site and  
Change Controls  
http://onsemi.com  
• AEC Qualified − 2V7002L  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
• PPAP Capable − 2V7002L  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
7.5 W @ 10 V,  
60 V  
115 mA  
500 mA  
Compliant  
N−Channel  
MAXIMUM RATINGS  
3
Rating  
Drain−Source Voltage  
Symbol  
Value  
60  
Unit  
Vdc  
V
DSS  
DGR  
Drain−Gate Voltage (R = 1.0 MW)  
V
60  
Vdc  
GS  
1
Drain Current  
− Continuous T = 25°C (Note 1)  
− Continuous T = 100°C (Note 1)  
I
I
ꢀ115  
ꢀ75  
ꢀ800  
mAdc  
D
D
C
I
DM  
C
− Pulsed (Note 2)  
2
Gate−Source Voltage  
− Continuous  
V
GSM  
ꢀ20  
ꢀ40  
Vdc  
Vpk  
GS  
V
MARKING  
DIAGRAM  
− Non−repetitive (t ≤ 50 ms)  
p
3
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
1
Symbol  
Max  
Unit  
2
Total Device Dissipation FR−5 Board  
P
D
702 MG  
225  
1.8  
556  
mW  
mW/°C  
°C/W  
(Note 3) T = 25°C  
A
G
SOT−23  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
CASE 318  
STYLE 21  
R
q
JA  
1
Total Device Dissipation  
P
D
300  
2.4  
417  
mW  
mW/°C  
°C/W  
(Note 4) Alumina Substrate, T = 25°C  
Derate above 25°C  
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient  
A
702  
M
= Device Code  
= Date Code*  
R
q
JA  
G
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
Junction and Storage Temperature  
T , T  
−ꢀ55 to  
+150  
°C  
J
stg  
*Date Code orientation and/or position may  
vary depending upon manufacturing location.  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. The Power Dissipation of the package may result in a lower continuous drain  
current.  
ORDERING INFORMATION  
†
2. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 ms, Duty Cycle ≤ 2.0%.  
Device  
Package  
Shipping  
3. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.  
4. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.025 in 99.5% alumina.  
2N7002LT1G  
2N7002LT3G  
2V7002LT1G  
2V7002LT3G  
3000 Tape & Reel  
10,000 Tape & Reel  
3000 Tape & Reel  
10,000 Tape & Reel  
SOT−23  
(Pb−Free)  
SOT−23  
(Pb−Free)  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specifications  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2012  
1
Publication Order Number:  
May, 2012 − Rev. 6  
2N7002L/D  
 
1234

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2V7002LT3G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N7002ET1G ONSEMI

类似代替

 Small Signal MOSFET 60 V, 310 mA, Single, N−Channel, SOT−23
2N7002LT1G ONSEMI

类似代替

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BSS123LT1G ONSEMI

类似代替

 Power MOSFET 170 mAmps, 100 Volts

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2V7002W ONSEMI

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 		Small Signal MOSFET 60 V, 340 mA, Single, N.Channel, SC.70
2V7002WT1G ONSEMI

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 		Small Signal MOSFET 60 V, 340 mA, Single, N.Channel, SC.70
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2V7BC SWST

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