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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.32 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 900 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 8 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 8 A | 最大漏源导通电阻： | 2 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 150 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 23 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRFPF50 | VISHAY |
功能相似  |
Power MOSFET |
|
| IRFPF50PBF | VISHAY |
功能相似 |
Power MOSFET |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK963 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 250V V(BR)DSS | 5A I(D) | TO-221VAR |
|
| 2SK963H | PANASONIC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 250V, 0.7ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
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| 2SK970 | ETC |
获取价格 |
|
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| 2SK971 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK972 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
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| 2SK973 | HITACHI |
获取价格 |
Silicon N-Channel MOS FET |
|
| 2SK973(L) | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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| 2SK973(S) | RENESAS |
获取价格 |
2A, 60V, 0.5ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
|
| 2SK973(S)TL | HITACHI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
|
| 2SK973(S)TL | RENESAS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 60V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal- |
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