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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.76 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 900 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2 A | 最大漏极电流 (ID)： | 2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 8.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 6 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK957-01 | FUJI |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| 2SK957M | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB |
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| 2SK957MR | ETC |
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MOSFET |
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| 2SK957-MR | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK958 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220 |
|
| 2SK958-01 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220 |
|
| 2SK959 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-247 |
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| 2SK959-01 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-247 |
|
| 2SK960 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK960MR | ETC |
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MOSFET |
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