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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.76 |
| Is Samacsys： | N | 其他特性： | AVALANCHE RATED |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 800 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2.5 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 2.5 A | 最大漏源导通电阻： | 7 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 40 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 7 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK952 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |
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| 2SK952-01 | FUJI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| 2SK953 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-247 |
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| 2SK953-01 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 2.5A I(D) | TO-247 |
|
| 2SK954 | ETC |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
|
| 2SK955 | ETC |
获取价格 |
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|
| 2SK956 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 800V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-247 |
|
| 2SK956-01 | FUJI |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| 2SK956-01R | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
|
| 2SK957 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 900V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-220AB |
|
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