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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.82 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (ID)： | 5 A |
| 最大漏源导通电阻： | 1.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 20 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK856 | TOSHIBA |
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2SK856 |
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| 2SK858 | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 2 A, 600 V, 4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power |
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| 2SK859 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 9A I(D) | TO-247VAR |
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| 2SK867 | PANASONIC |
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Silicon N-channel Power F-MOS FET |
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| 2SK867A | PANASONIC |
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Silicon N-channel Power F-MOS FET |
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| 2SK868 | PANASONIC |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| 2SK868A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-247VAR |
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| 2SK870 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 20A I(D) | TO-247VAR |
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| 2SK873 | RENESAS |
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8A, 450V, 1.1ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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| 2SK876 | RENESAS |
获取价格 |
12A, 500V, 0.7ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
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