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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.88 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE |
| 最小漏源击穿电压： | 850 V | 最大漏极电流 (ID)： | 3 A |
| 最大漏源导通电阻： | 4.5 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 100 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK792 | TOSHIBA |
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2SK792 |
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| 2SK793 | TOSHIBA |
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2SK793 |
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| 2SK794 | TOSHIBA |
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2SK794 |
|
| 2SK795 | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 600V V(BR)DSS | 2A I(D) | TO-247VAR |
|
| 2SK795TX | PANASONIC |
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Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 600V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| 2SK796 | PANASONIC |
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Silicon N-channel Power F-MOS FET |
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| 2SK796A | PANASONIC |
获取价格 |
Silicon N-channel Power F-MOS FET |
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| 2SK797 | NEC |
获取价格 |
N-Channel MOS Field Effect Power Transistor |
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| 2SK798 | NEC |
获取价格 |
N CHANNEL MOS FIELD POWER TRANSISTOR |
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| 2SK799 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 12A I(D) | TO-218VAR |
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