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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> 2SK435ERF

2SK435ERF PDF预览

2SK435ERF

更新时间： 2024-01-26 15:58:12

品牌	Logo	应用领域
日立 - HITACHI		晶体晶体管放大器
页数	文件大小	规格书
7页	34K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 22V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-92, TO-92(2), 3 PIN

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2SK435ERF 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.21	配置：	SINGLE
最小漏源击穿电压：	22 V	最大漏极电流 (ID)：	0.1 A
FET 技术：	JUNCTION	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-W3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK435ERF 数据手册

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2SK435

Silicon N-Channel Junction FET

Application

Low frequency / High frequency amplifier

Outline

TO-92 (2)

1. Drain

2. Source

3. Gate

3

2

1

12 3 4 5 6 7

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与2SK435ERF相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SK435ERR	HITACHI	暂无描述	获取价格
2SK435ERR	RENESAS	100mA, 22V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-92, TO-92(2), 3 PIN	获取价格
2SK435RR	HITACHI	暂无描述	获取价格
2SK435TZ	HITACHI	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.1A I(D), 22V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junct	获取价格
2SK436	SANYO	High-Frequency,Low-Frequency General-Purpose Amp Applications	获取价格
2SK436-17	ETC	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 15V V(BR)DSS \| 1.2MA I(DSS) \| SOT-23	获取价格

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