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2SK435DTZ

更新时间: 2024-09-17 06:18:43
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 晶体小信号场效应晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
6页 132K
描述
Silicon N-Channel Junction FET

2SK435DTZ 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-92
包装说明:SC-43A, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.59Is Samacsys:N
配置:SINGLE最小漏源击穿电压:22 V
最大漏极电流 (ID):0.1 AFET 技术:JUNCTION
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-T3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:DEPLETION MODE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:N-CHANNEL认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:BOTTOM晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

2SK435DTZ 数据手册

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2SK435  
Silicon N-Channel Junction FET  
REJ03G0812-0200  
(Previous ADE-208-1171)  
Rev.2.00  
Aug.10.2005  
Application  
Low frequency / High frequency amplifier  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0003DB-C  
(Package name: TO-92 (2)  
)
1. Drain  
2. Source  
3. Gate  
3
2
1
Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5  

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