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2SK435

更新时间: 2024-02-28 18:45:34
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瑞萨 - RENESAS 晶体小信号场效应晶体管放大器
页数 文件大小 规格书
6页 132K
描述
Silicon N-Channel Junction FET

2SK435 技术参数

生命周期:Transferred包装说明:CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.21配置:SINGLE
最小漏源击穿电压:22 V最大漏极电流 (ID):0.1 A
FET 技术:JUNCTIONJEDEC-95代码:TO-92
JESD-30 代码:O-PBCY-W3元件数量:1
端子数量:3工作模式:DEPLETION MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL极性/信道类型:N-CHANNEL
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:BOTTOM
晶体管应用:AMPLIFIER晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

2SK435 数据手册

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2SK435  
Silicon N-Channel Junction FET  
REJ03G0812-0200  
(Previous ADE-208-1171)  
Rev.2.00  
Aug.10.2005  
Application  
Low frequency / High frequency amplifier  
Outline  
RENESAS Package code: PRSS0003DB-C  
(Package name: TO-92 (2)  
)
1. Drain  
2. Source  
3. Gate  
3
2
1
Rev.2.00 Aug 10, 2005 page 1 of 5  

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