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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3990-01SJ
2SK3990-01SJ PDF预览

2SK3990-01SJ

更新时间： 2024-01-24 00:37:54
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
4页 299K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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2SK3990-01SJ 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.71
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：237.3 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (ID)：3 A
最大漏源导通电阻：3.3 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：12 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK3990-01SJ 数据手册

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2SK3990-01L,S,SJ FUJI POWER MOSFET  
200511  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Super FAP-G Series  
Outline Drawings [mm]  
Features  
High speed switching  
No secondary breadown  
Avalanche-proof  
Low on-resistance  
Low driving power  
Applications  
Switching regulators  
DC-DC converters  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
See to P4  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
VDS  
Ratings  
600  
Unit  
V
Remarks  
Drain-source voltage  
V
A
A
V
A
VGS=-30V  
VDSX  
ID  
600  
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
3.0  
ID(puls]  
VGS  
±12.0  
±30  
Gate-source voltage  
Repetitive or non-repetitive  
IAR  
3.0  
Note *1  
Note *2  
Note *3  
Non-repetitive  
Maximum avalanche energy  
Repetitive  
Maximum avalanche energy  
Maximum drain-source dV/dt  
Peak diode recovery dV/dt  
Maximum power dissipation  
mJ  
EAS  
237.3  
Equivalent circuit schematic  
EAR  
dVDS/dt  
6.0  
20  
mJ  
<
VDS 600V  
=
kV/μs  
kV/μs  
W
Drain(D)  
dV/dt  
PD  
5
Note *4  
60  
°C  
°C  
Tc=25  
2.02  
W
Ta=25  
Operating and storage  
temperature range  
Tch  
+150  
°C  
Tstg  
-55 to +150  
°C  
Gate(G)  
<
Note *1 Tch 150°C  
=
Source(S)  
Note *2 Starting Tch=25°C, IAS=1.2A, L=302mH, VCC=60V, RG=50Ω  
EAS limited by maximum channel temperrature and avalanche current.  
See to ‘Avalanche Energy’ graph.  
Note *3 Repetitve rating : Pulse width limited by maximum channel temperature.  
See to ‘Transient Thermal impedance’ graph.  
<
<
<
Note *4 IF -ID, -di/dt=50A/μs, Vcc BVDSS, Tch 150°C  
=
=
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
BVDSS  
VGS(th)  
Item  
Test Conditions  
μ
Drain-source breakdown voltage  
Gate threshold voltage  
ID= 250 A  
VGS=0V  
V
600  
μ
V
ID= 250 A  
VDS=VGS  
3.0  
5.0  
25  
μA  
Tch=25°C  
VDS=600V VGS=0V  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
Tch=125°C  
250  
100  
VDS=480V VGS=0V  
VGS=±30V  
VDS=0V  
ID=1.5A VGS=10V  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
nA  
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
2.64  
3.0  
330  
50  
2.5  
11  
5.0  
3.3  
Ω
S
1.5  
ID=1.5A VDS=25V  
VDS=25V  
Ciss  
pF  
500  
75  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
Output capacitance  
VGS=0V  
5.0  
18  
7.5  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
f=1MHz  
VCC=300V ID=1.5A  
ns  
VGS=10V  
23  
10  
13  
35  
15  
20  
td(off)  
tf  
Turn-off time toff  
RGS=10 Ω  
QG  
nC  
Total Gate Charge  
VCC=250V  
ID=3.0A  
5.5  
8.5  
QGS  
QGD  
VSD  
trr  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
2.8  
1.00  
0.5  
2.3  
4.2  
VGS=10V  
1.50  
V
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
IF=3.0A VGS=0V Tch=25°C  
IF=3.0A VGS=0V  
-di/dt=100A/μs  
μs  
μC  
Qrr  
Tch=25°C  
Thermalcharacteristics  
Item  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
Test Conditions  
Rth(ch-c)  
channel to case  
2.083  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
62.0  
°C/W  
http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/  
1
1234

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