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2SK3989-01MR PDF预览

2SK3989-01MR

更新时间： 2024-01-03 07:23:58
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
4页 295K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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2SK3989-01MR 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-220F
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.76Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：237.3 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：3 A最大漏极电流 (ID)：3 A
最大漏源导通电阻：3.3 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：21 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：12 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3989-01MR 数据手册

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2SK3989-01MR FUJI POWER MOSFET  
200511  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Super FAP-G Series  
Features  
TO-220F  
High speed switching  
No secondary breadown  
Avalanche-proof  
Low on-resistance  
Low driving power  
Applications  
Switching regulators  
DC-DC converters  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
VDS  
Ratings  
600  
Unit  
V
Remarks  
Drain-source voltage  
VGS=-30V  
V
A
A
V
A
VDSX  
ID  
600  
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
3.0  
ID(puls]  
VGS  
±12.0  
±30  
Gate-source voltage  
Note *1  
Note *2  
Note *3  
Repetitive or non-repetitive  
IAR  
3.0  
Non-repetitive  
Maximum avalanche energy  
Equivalent circuit schematic  
mJ  
EAS  
237.3  
Repetitive  
Maximum avalanche energy  
EAR  
dVDS/dt  
2.1  
20  
mJ  
Drain(D)  
Maximum drain-source dV/dt  
Peak diode recovery dV/dt  
Max. power dissipation  
<
VDS 600V  
kV/μs  
kV/μs  
W
=
dV/dt  
PD  
5
21  
Note *4  
°C  
Tc=25  
°C  
Ta=25  
2.16  
+150  
W
Operating and storage  
temperature range  
Isolation voltage  
Tch  
Gate(G)  
°C  
Tstg  
VISO  
-55 to +150  
2
°C  
Source(S)  
t=60sec, f=60Hz  
kVrms  
<
Note *1 Tch 150°C  
=
Note *2 Starting Tch=25°C, IAS=1.2A, L=302mH, VCC=60V, RG=50Ω  
EAS limited by maximum channel temperrature and avalanche current.  
See to ‘Avalanche Energy’ graph.  
Note *3 Repetitve rating : Pulse width limited by maximum channel temperature.  
See to ‘Transient Thermal impedance’ graph.  
<
<
<
Note *4 IF -ID, -di/dt=50A/μs, Vcc BVDSS, Tch 150°C  
=
=
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Test Conditions  
Symbol  
BVDSS  
VGS(th)  
Item  
μ
ID= 250 A  
VGS=0V  
Drain-source breakdown voltage  
Gate threshold voltage  
V
600  
3.0  
μ
ID= 250 A  
VDS=VGS  
V
5.0  
25  
Tch=25°C  
μA  
VDS=600V VGS=0V  
VDS=480V VGS=0V  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
Tch=125°C  
250  
100  
VDS=0V  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
VGS=±30V  
nA  
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
ID=1.5A VGS=10V  
2.64  
3.0  
3.30  
Ω
S
1.5  
ID=1.5A VDS=25V  
VDS=25V  
Ciss  
pF  
330  
50  
2.5  
11  
5.0  
500  
75  
VGS=0V  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
Output capacitance  
f=1MHz  
5.0  
18  
7.5  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
ns  
VCC=300V ID=1.5A  
VGS=10V  
23  
10  
13  
35  
15  
20  
td(off)  
tf  
Turn-off time toff  
RGS=10 Ω  
VCC=300V  
ID=3.0A  
QG  
nC  
Total Gate Charge  
5.5  
8.5  
QGS  
QGD  
VSD  
trr  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
VGS=10V  
2.8  
1.00  
0.5  
2.3  
4.2  
IF=3.0A VGS=0V Tch=25°C  
IF=3.0A VGS=0V  
-di/dt=100A/μs  
1.50  
V
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
μs  
μC  
Qrr  
Tch=25°C  
Thermalcharacteristics  
Item  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
Test Conditions  
Rth(ch-c)  
channel to case  
5.952  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
58.0  
°C/W  
http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK399 ETC

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