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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3983-01SJ
2SK3983-01SJ PDF预览

2SK3983-01SJ

更新时间： 2024-01-30 07:44:01
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
4页 239K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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2SK3983-01SJ 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.16
雪崩能效等级（Eas）：349.1 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：900 V
最大漏极电流 (ID)：2.6 A最大漏源导通电阻：6.4 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：10.4 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3983-01SJ 数据手册

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2SK3983-01L,S,SJ FUJI POWER MOSFET  
200511  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Super FAP-G Series  
Outline Drawings [mm]  
Features  
High speed switching  
No secondary breadown  
Avalanche-proof  
Low on-resistance  
Low driving power  
Applications  
Switching regulators  
DC-DC converters  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
See to P4  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
VDS  
Ratings  
900  
Unit  
V
Remarks  
Drain-source voltage  
VGS=-30V  
V
A
A
V
A
VDSX  
ID  
900  
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
±2.6  
±10.4  
±30  
ID(puls]  
VGS  
Gate-source voltage  
Note *1  
Note *2  
Note *3  
Repetitive or non-repetitive  
IAR  
2.6  
Non-repetitive  
Maximum avalanche energy  
Equivalent circuit schematic  
mJ  
EAS  
349.1  
Repetitive  
Maximum avalanche energy  
EAR  
dVDS/dt  
9.0  
40  
mJ  
Drain(D)  
Maximum drain-source dV/dt  
Peak diode recovery dV/dt  
Max. power dissipation  
<
VDS 900V  
kV/µs  
kV/µs  
W
=
dV/dt  
PD  
5
90  
Note *4  
°C  
Tc=25  
°C  
Ta=25  
1.67  
W
Operating and storage  
temperature range  
Tch  
+150  
Gate(G)  
°C  
Tstg  
-55 to +150  
°C  
Source(S)  
<
Note *1 Tch 150°C  
=
Note *2 Starting Tch=25°C, IAS=1.1A, L=524mH, VCC=100V, RG=50Ω  
EAS limited by maximum channel temperrature and avalanche current.  
See to ‘Avalanche Energy’ graph.  
Note *3 Repetitve rating : Pulse width limited by maximum channel temperature.  
See to ‘Transient Thermal impedance’ graph.  
<
<
<
Note *4 IF -ID, -di/dt=50A/µs, Vcc BVDSS, Tch 150°C  
=
=
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Test Conditions  
Symbol  
BVDSS  
VGS(th)  
Item  
µ
ID= 250 A  
VGS=0V  
Drain-source breakdown voltage  
Gate threshold voltage  
V
900  
µ
ID= 250 A  
VDS=VGS  
V
3.0  
5.0  
25  
Tch=25°C  
µA  
VDS=900V VGS=0V  
VDS=720V VGS=0V  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
Tch=125°C  
250  
100  
VDS=0V  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
VGS=±30V  
nA  
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
ID=1.3A VGS=10V  
4.8  
2.6  
330  
44  
2.5  
6.4  
Ω
S
1.3  
ID=1.3A VDS=25V  
VDS=25V  
Ciss  
pF  
495  
66  
VGS=0V  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
Output capacitance  
f=1MHz  
5.0  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
ns  
VCC=600V ID=1.3A  
10.5  
6.5  
28  
15.8  
9.8  
42  
VGS=10V  
td(off)  
tf  
Turn-off time toff  
RGS=10 Ω  
20  
30  
VCC=450V  
ID=2.6A  
13  
19.5  
6.5  
6.8  
QG  
nC  
Total Gate Charge  
4.5  
4.3  
QGS  
QGD  
VSD  
trr  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
VGS=10V  
1.00  
1.50  
IF=2.6A VGS=0V Tch=25°C  
IF=2.6A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
Tch=25°C  
V
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
1.5  
4.0  
µs  
µC  
Qrr  
Thermalcharacteristics  
Item  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
Test Conditions  
Rth(ch-c)  
channel to case  
1.39  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
75.0  
°C/W  
http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK3984-ZK RENESAS

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 		18000mA, 100V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-252AA, TO-252, MP-3ZK, 3 PIN
2SK3984-ZK-AZ RENESAS

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 		TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,100V V(BR)DSS,18A I(D),TO-252
2SK3984-ZK-E1-AY RENESAS

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 		Switching N-Channel Power Mosfet, MP-3ZK, /Embossed Tape
2SK3985-01 FUJI

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