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2SK3903

更新时间： 2024-09-27 04:26:35
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体稳压器开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 239K
描述
Silicon N-Channel MOS Type Switching Regulator Applications

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2SK3903 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Lifetime Buy
零件包装代码：SC-65包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.36Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：806 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：14 A最大漏极电流 (ID)：14 A
最大漏源导通电阻：0.44 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：150 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：56 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3903 数据手册

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2SK3903  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type (π-MOSVI)  
2SK3903  
Switching Regulator Applications  
Unit: mm  
•
•
•
•
Low drain-source ON resistance: R  
= 0.32 Ω (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: ⎪Y ⎪ = 7.5 S (typ.)  
fs  
Low leakage current: I  
= 100 μA (max) (V  
= 600 V)  
DSS  
DS  
Enhancement model: V = 2.0~4.0 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
th  
DS  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
600  
600  
±30  
14  
V
V
V
DSS  
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
V
GSS  
DC  
(Note 1)  
I
D
1. GATE  
Drain current  
A
2. DRAIN (HEATSINK)  
3. SOURCE  
Pulse (Note 1)  
I
56  
DP  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
150  
W
D
AS  
AR  
Single pulse avalanche energy  
JEDEC  
―
E
806  
mJ  
(Note 2)  
JEITA  
SC-65  
2−16C1B  
Avalanche current  
I
14  
15  
A
TOSHIBA  
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
T
150  
Weight: 4.6 g (typ.)  
ch  
Storage temperature range  
T
−55~150  
stg  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate  
reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/Derating Concept and  
Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Thermal Characteristics  
2
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal resistance, channel to case  
Thermal resistance, channel to ambient  
R
0.833  
50  
°C/W  
°C/W  
th (ch-c)  
R
th (ch-a)  
1
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C during use of the device.  
Note 2: = 90 V, T = 25°C, L = 7.2 mH, R = 25 Ω, I = 14 A  
V
DD  
ch  
G
AR  
3
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by max junction temperature  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Handle with care.  
1
2006-11-08  
123456

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