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2SK3901

更新时间： 2024-01-25 10:47:01

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描述
Low On-state resistance RDS(on)1 = 13m MAX.Low C iss: C iss =1950 pF TYP.

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2SK3901 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.76
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	60 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	64 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

2SK3901 数据手册

SSSMMMDDD TTTyyypppeee

TraMnOsiSstFIoCErsT

Product specification

2SK3901

TO-263

Unit: mm

+0.2

4.57

-0.2

+0.1

1.27

-0.1

Features

Low On-state resistance

R^DS(on)1= 13mÙ MAX. (V^GS= 10 V, I^D= 30A)

R^DS(on)2= 16.5 mÙ MAX. (V^GS= 4.5 V, I^D= 30A)

Low C ^iss: C ^iss=1950 pF TYP.

+0.1

-0.1

0.1max

1.27

+0.1

0.81

-0.1

2.54

1 Gate

+0.2

2.54

-0.2

+0.1

5.08

-0.1

+0.2

0.4

-0.2

2 Drain

3 Source

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Drain to source voltage

Symbol

V^DSS

V^GSS

I^D

Rating

Unit

Gate to source voltage

Drain current

I^dp*

150

1.5

Power dissipation

T^A=25

T^C=25

P^D

Channel temperature

Storage temperature

T^ch

150

T^stg

-55 to +150

* PW 10 s,Duty Cycle 1%

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Drain cut-off current

Symbol

I^DSS

Testconditons

Min

Typ

Max

Unit

V^DS=60V,V^GS=0

V^GS= 20V,V^DS=0

V^DS=10V,I^D=1mA

V^DS=10V,I^D=30A

V^GS=10V,I^D=30A

V^GS=4.5V,I^D=30A

Gate leakage current

Gate cut off voltage

I^GSS

V^GS(off)

Y^fs

1.5

2.0

2.5

Forward transfer admittance

R^DS(on)1

10.3

m Ù

Drain to source on-state resistance

R^DS(on)2

C^iss

C^oss

C^rss

t^on

12.1 16.5

m Ù

Input capacitance

Output capacitance

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

Rise time

1950

380

150

V^DS=10V,V^GS=0,f=1MHZ

t^r

I^D=30A,V^GS(on)=10V,R^G=0 ,V^DD=30V

Turn-off delay time

Fall time

t^off

5.0

Total Gate Charge

Gate to Source Charge

Gate to Drain Charge

Q^G

V^DD= 48V

V^GS= 10 V

I^D=60A

Q^GS

Q^GD

7.5

10.0

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

1 of 1

4008-318-123

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