2SK3900-ZP

更新时间： 2024-09-25 22:52:59

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

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2SK3900-ZP 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TO-263, MP-25ZP, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.91	Is Samacsys：	N
雪崩能效等级（Eas）：	141 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	82 A	最大漏源导通电阻：	0.01 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	246 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3900-ZP 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3900

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

The 2SK3900 is N-channel MOS Field Effect Transistor

PART NUMBER

PACKAGE

designed for high current switching applications.

2SK3900-ZP

TO-263 (MP-25ZP)

FEATURES

• Super low on-state resistance

R^DS(on)1= 8.0 mΩ MAX. (VGS = 10 V, ID = 41 A)

R^DS(on)2= 10 mΩ MAX. (VGS = 4.5 V, ID = 41 A)

• Low Ciss: Ciss = 3500 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

(TO-263)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

VDSS

VGSS

ID(DC)

ID(pulse)

PT1

±20

±82

±246

104

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

°C

PT2

1.5

T^ch

150

Storage Temperature

T^stg

−55 to +150

141

Single Avalanche Energy ^Note2

Repetitive Avalanche Current ^Note3

Repetitive Avalanche Energy ^Note3

E^AS

I^AR

37.5

E^AR

141

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, VDD = 30 V, RG = 25 Ω, VGS = 20 → 0 V, L = 100 µH

3. R^G= 25 Ω, Tch(peak) ≤ 150°C

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confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D17175EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published May 2004 NS CP(K)

Printed in Japan

2004

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3900-ZP-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,82A I(D),TO-263AB
2SK3900-ZP-E1-AY	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,82A I(D),TO-263AB
2SK3900-ZP-E2-AY	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,82A I(D),TO-263AB
2SK3901	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3901	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SK3901	TYSEMI	获取价格	Low On-state resistance RDS(on)1 = 13m MAX.Low C iss: C iss =1950 pF TYP.
2SK3901(0)-ZK-E1-AY	RENESAS	获取价格	Nch Single Power Mosfet 60V 60A 13Mohm Mp-25Zk/To-263, MP-25ZK, /Embossed Tape
2SK3901-ZK	RENESAS	获取价格	60A, 60V, 0.0165ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, TO-263, MP-25ZK, 3 PIN
2SK3901-ZK	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3901-ZK-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,60A I(D),TO-263AB

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