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2SK3900

更新时间： 2024-02-01 23:03:40

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描述
Low On-state resistance RDS(on)1 = 8.0m MAX. Low C iss: C iss =3500 pF TYP.

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2SK3900 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
配置：	Single	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	82 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	104 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	Base Number Matches：	1

2SK3900 数据手册

SSMMDD TTyyppee

TraMnOsiSstFIoCErsT

Product specification

2SK3900

TO-263

Unit: mm

+0.2

4.57

-0.2

+0.1

1.27

-0.1

Features

Low On-state resistance

R^DS(on)1= 8.0mÙ MAX. (V^GS= 10 V, I^D= 41A)

R^DS(on)2= 10 mÙ MAX. (V^GS= 4.5 V, I^D= 41 A)

Low C ^iss: C ^iss=3500 pF TYP.

+0.1

-0.1

0.1max

1.27

+0.1

0.81

-0.1

2.54

1 Gate

+0.2

2.54

-0.2

+0.1

5.08

-0.1

+0.2

0.4

-0.2

2 Drain

3 Source

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Drain to source voltage

Symbol

V^DSS

V^GSS

I^D

Rating

Unit

Gate to source voltage

Drain current

I^dp*

246

1.5

Power dissipation

T^A=25

T^C=25

P^D

104

150

Channel temperature

Storage temperature

T^ch

T^stg

-55 to +150

* PW 10 s,Duty Cycle 1%

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Drain cut-off current

Symbol

I^DSS

Testconditons

V^DS=60V,V^GS=0

Min

Typ

Max

Unit

Gate leakage current

Gate cut off voltage

I^GSS

V^GS= 20V,V^DS=0

V^DS=10V,I^D=1mA

V^DS=10V,I^D=41A

V^GS=10V,I^D=41A

V^GS=4.5V,I^D=41A

V^GS(off)

Y^fs

1.5

2.0

2.5

Forward transfer admittance

28.1

R^DS(on)1

6.3

8.0

m Ù

Drain to source on-state resistance

R^DS(on)2

C^iss

C^oss

C^rss

t^on

7.4

3500

660

240

m Ù

Input capacitance

Output capacitance

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

Rise time

V^DS=10V,V^GS=0,f=1MHZ

t^r

ID=41A,VGS(on)=10V,RG=0 ,VDD=30V

Turn-off delay time

Fall time

t^off

5.5

Total Gate Charge

Gate to Source Charge

Gate to Drain Charge

Q^G

65.5

11.5

16.5

V^DD= 48V

V^GS= 10 V

I^D=82A

Q^GS

Q^GD

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

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4008-318-123

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