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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PZIP-T7 | 针数： | 7 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.89 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 配置： | COMMON SUBSTRATE, 2 ELEMENTS | FET 技术： | JUNCTION |
| JESD-30 代码： | R-PZIP-T7 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 7 |
| 工作模式： | DEPLETION MODE | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.2 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Small Signal | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | ZIG-ZAG | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK389V | ETC |
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TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | DUAL | 10MA I(DSS) | ZIP |
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| 2SK389-V | TOSHIBA |
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TRANSISTOR 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, 2-10M1A, 7 PIN, FET General Purpo |
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| 2SK3900 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
|
| 2SK3900 | KEXIN |
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MOS Field Effect Transistor |
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| 2SK3900 | TYSEMI |
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Low On-state resistance RDS(on)1 = 8.0m MAX. Low C iss: C iss =3500 pF TYP. |
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| 2SK3900(01)-ZP-E1-AZ | RENESAS |
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2SK3900(01)-ZP-E1-AZ |
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| 2SK3900-ZP | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 2SK3900-ZP-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,82A I(D),TO-263AB |
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| 2SK3900-ZP-E1-AY | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,82A I(D),TO-263AB |
|
| 2SK3900-ZP-E2-AY | RENESAS |
获取价格 |
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,82A I(D),TO-263AB |
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