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2SK3871-01MR

更新时间： 2024-02-16 17:18:04
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
4页 98K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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2SK3871-01MR 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.84
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：633.1 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：230 V最大漏极电流 (ID)：40 A
最大漏源导通电阻：0.076 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：160 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3871-01MR 数据手册

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2SK3871-01MR  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Outline Drawings (mm)  
200406  
TO-220F  
FUJI POWER MOSFET  
Super FAP-G Series  
Features  
High speed switching  
No secondary breadown  
Avalanche-proof  
Low on-resistance  
Low driving power  
Applications  
Switching regulators  
DC-DC converters  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
Maximum ratings and characteristic  
Absolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Equivalent circuit schematic  
Item  
Symbol  
Ratings  
230  
Unit  
V
Remarks  
Drain-source voltage  
VDS  
Drain(D)  
V
VDSX  
ID  
230  
VGS=-30V  
A
Continuous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
40  
A
ID(puls]  
VGS  
IAR  
±160  
±30  
V
Gate-Source Voltage  
Maximum Avalanche current  
Non-Repetitive  
Gate(G)  
A
40  
Note *1  
Note *2  
Source(S)  
mJ  
EAS  
633.1  
Maximum Avalanche Energy  
Repetitive  
<
Note *1:Tch 150°C,Repetitive and Non-repetitive  
=
mJ  
EAR  
27  
Note *3  
Note *2:StartingTch=25°C,IAS=16A,L=4.09mH,  
Maximum Avalanche Energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak Diode Recovery dV/dt  
Max. Power Dissipation  
VCC=48V,RG=50Ω  
kV/µs  
kV/µs  
W
dVDS/dt  
dV/dt  
PD  
20  
5
<
VDS 230V  
=
EAS limited by maximum channel temperature  
and avalanch current.  
Note *4  
270  
2.02  
+150  
Tc=25°C  
Ta=25°C  
See to the ‘Avalanche Energy’ graph  
Note *3:Repetitive rating:Pulse width limited by  
maximum channel temperature.  
See to the ‘Transient Theemal impedance’  
graph  
Operating and Storage  
Temperature range  
Isolation Voltage  
Tch  
°C  
°C  
Tstg  
VISO  
-55 to +150  
2
t=60sec f=60Hz  
kVrms  
<
<
<
Note *4:IF -ID, -di/dt=50A/µs,VCC BVDSS,Tch 150°C  
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
=
=
=
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
BVDSS  
VGS(th)  
Item  
Test Conditions  
µ
V
Drain-Source Breakdown Voltaget  
Gate Threshold Voltage  
230  
3.0  
ID= 250 A  
VGS=0V  
VDS=VGS  
µ
V
5.0  
25  
ID= 250 A  
µA  
VDS=230V VGS=0V  
Tch=25°C  
Zero Gate Voltage Drain Current  
IDSS  
250  
100  
76  
Tch=125°C  
VDS=184V VGS=0V  
VGS=±30V  
VDS=0V  
ID=20A VGS=10V  
ID=20A VDS=25V  
VDS=75V  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
nA  
Gate-Source Leakage Current  
Drain-Source On-State Resistance  
Forward Transcondutance  
Input Capacitance  
58  
24  
mΩ  
S
12  
Ciss  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
1880  
230  
12  
2820  
345  
18  
pF  
Output Capacitance  
VGS=0V  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-On Time ton  
f=1MH  
VCC=180V ID=20A  
ns  
28  
42  
8.4  
12.6  
VGS=10V  
56  
84  
td(off)  
tf  
Turn-Off Time toff  
RGS=10 Ω  
6
9
42.0  
18.0  
12.0  
63.0  
27.0  
18.0  
QG  
nC  
Total Gate Charge  
VCC=115V  
ID=40A  
QGS  
QGD  
VSD  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
VGS=10V  
1.10  
230  
2.5  
1.50  
V
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
IF=40A VGS=0V Tch=25°C  
IF=40A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
Tch=25°C  
trr  
Qrr  
ns  
µC  
Thermalcharacteristics  
Item  
Symbol  
Rth(ch-c)  
Rth(ch-a)  
Test Conditions  
channel to case  
channel to ambient  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
1.316 °C/W  
Thermal resistance  
°C/W  
58  
www.fujielectric.co.jp/fdt/scd  
1
1234

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