5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3789-01R
2SK3789-01R PDF预览

2SK3789-01R

更新时间： 2024-11-24 22:22:19
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
4页 97K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SK3789-01R 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.83
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：1205.7 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：150 V最大漏极电流 (ID)：92 A
最大漏源导通电阻：0.026 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：368 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK3789-01R 数据手册

 浏览型号2SK3789-01R的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK3789-01R的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK3789-01R的Datasheet PDF文件第4页 
2SK3789-01R  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Outline Drawings (mm)  
200406  
FUJI POWER MOSFET  
Super FAP-G Series  
Features  
High speed switching  
No secondary breadown  
Avalanche-proof  
Low on-resistance  
Low driving power  
Applications  
Switching regulators  
DC-DC converters  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
Maximum ratings and characteristic  
Absolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Equivalent circuit schematic  
Item  
Symbol  
Ratings  
150  
Unit  
V
Remarks  
Drain(D)  
Drain-source voltage  
VDS  
V
VDSX  
ID  
150  
VGS=-30V  
A
Continuous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
92  
A
ID(puls]  
VGS  
IAR  
±368  
±30  
Gate(G)  
V
Gate-Source Voltage  
Maximum Avalanche current  
Non-Repetitive  
A
92  
Note *1  
Note *2  
Source(S)  
mJ  
EAS  
1205.7  
<
Note *1:Tch 150°C,Repetitive and Non-repetitive  
=
Maximum Avalanche Energy  
Repetitive  
Note *2:StartingTch=25°C,IAS=37A,L=1.29mH,  
mJ  
EAR  
41  
Note *3  
VCC=48V,RG=50Ω  
Maximum Avalanche Energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak Diode Recovery dV/dt  
Max. Power Dissipation  
EAS limited by maximum channel temperature  
and avalanch current.  
kV/µs  
dVDS/dt  
dV/dt  
PD  
20  
5
<
VDS 150V  
=
kV/µs Note *4  
See to the ‘Avalanche Energy’ graph  
Note *3:Repetitive rating:Pulse width limited by  
maximum channel temperature.  
See to the ‘Transient Theemal impedance’  
graph  
210  
3.13  
+150  
Tc=25°C  
Ta=25°C  
W
Operating and Storage  
Temperature range  
Tch  
°C  
°C  
Tstg  
-55 to +150  
<
<
<
Note *4:IF -ID, -di/dt=50A/µs,VCC BVDSS,Tch 150°C  
=
=
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
BVDSS  
VGS(th)  
Item  
Test Conditions  
µ
V
Drain-Source Breakdown Voltaget  
Gate Threshold Voltage  
ID= 250 A  
VGS=0V  
VDS=VGS  
150  
µ
V
ID= 250 A  
3.0  
5.0  
25  
µA  
Tch=25°C  
VDS=150V VGS=0V  
Zero Gate Voltage Drain Current  
IDSS  
250  
100  
26  
Tch=125°C  
VDS=120V VGS=0V  
VGS=±30V  
VDS=0V  
ID=46A VGS=10V  
ID=46A VDS=25V  
VDS=75V  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
nA  
Gate-Source Leakage Current  
Drain-Source On-State Resistance  
Forward Transcondutance  
Input Capacitance  
21  
24  
mΩ  
S
12  
Ciss  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
3800  
530  
35  
5400  
795  
pF  
Output Capacitance  
VGS=0V  
52.5  
Reverse Transfer Capacitance  
Turn-On Time ton  
f=1MH  
VCC=48V ID=46A  
ns  
40  
60  
168  
84  
VGS=10V  
112  
56  
td(off)  
tf  
Turn-Off Time toff  
RGS=10 Ω  
30  
45  
80  
120  
45  
QG  
nC  
Total Gate Charge  
VCC=75V  
ID=92A  
30  
QGS  
QGD  
VSD  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
25  
38  
VGS=10V  
1.20  
250  
2.0  
1.50  
V
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
IF=92A VGS=0V Tch=25°C  
IF=92A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
Tch=25°C  
trr  
Qrr  
ns  
µC  
Thermalcharacteristics  
Item  
Symbol  
Rth(ch-c)  
Rth(ch-a)  
Test Conditions  
channel to case  
channel to ambient  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
0.595 °C/W  
Thermal resistance  
°C/W  
40.0  
www.fujielectric.co.jp/fdt/scd  
1
1234

中文翻译

下载PDF

与2SK3789-01R相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK3793 NEC

获取价格

 		SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3794 NEC

获取价格

 		SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3794 KEXIN

获取价格

 		MOS Field Effect Transistor
2SK3794 TYSEMI

获取价格

 		Low On-state resistance RDS(on)1 = 44 m MAX. Built-in gate protection diode
2SK3794-Z NEC

获取价格

 		SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET
2SK3796 SANYO

获取价格

 		N-Channel Junction Silicon FET Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Impedance Converte
2SK3796_12 SANYO

获取价格

 		Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Impedance Converter Applications
2SK3796-2 ONSEMI

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction
2SK3796-2-TL-E SANYO

获取价格

 		Low-Frequency General-Purpose Amplifier, Impedance Converter Applications
2SK3796-3 ONSEMI

获取价格

 		TRANSISTOR,JFET,N-CHANNEL,30V V(BR)DSS,1.2MA I(DSS),SOT-416

与2SK3789-01R相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证