2SK374

更新时间： 2024-11-20 22:52:59

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Silicon N-Channel Junction FET

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2SK374 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.86	配置：	SINGLE
最大漏极电流 (ID)：	0.03 A	FET 技术：	JUNCTION
JEDEC-95代码：	TO-236	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
最高工作温度：	125 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

2SK374 数据手册

Silicon Junction FETs (Small Signal)

2SK374

Silicon N-Channel Junction FET

For low-frequency amplification

For switching

unit: mm

2.8 –⁺0⁰.^.3²

1.5 –⁺0⁰.^.0²5⁵

0.65±0.15

■ Features

● Low noise-figure (NF)

● High gate to drain voltage V_GDO

● Mini-type package, allowing downsizing of the sets and automatic

insertion through the tape/magazine packing.

■ Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Parameter

Drain to Source voltage

Gate to Drain voltage

Gate to Source voltage

Drain current

Symbol

V_DSX

V_GDO

V_GSO

I_D

Ratings

Unit

0.1 to 0.3

0.4±0.2

−55

1: Source

2: Drain

3: Gate

JEDEC: TO-236

EIAJ: SC-59

Mini Type Package (3-pin)

−55

°C

Gate current

I_G

Marking Symbol (Example): 2B

Allowable power dissipation

Channel temperature

Storage temperature

P_D

200

T_ch

150

T_stg

−55 to +150

°C

■ Electrical Characteristics (Ta = 25°C)

Parameter

Symbol

Conditions

min

typ

max

Unit

Drain to Source cut-off current

Gate to Source leakage current

Gate to Drain voltage

I_DSS

V_DS= 10V, V_GS= 0

_GS= −30V, V_DS= 0

I_GSS

V_GDC

V_GSC

g_m

−10

I_G= −100µA, V_DS= 0

−55

−80

Gate to Source cut-off voltage

Mutual conductance

V_DS= 10V, I_D= 10µA

−5

V_DS= 10V, I_D= 5mA, f = 1kHz

2.5

7.5

6.5

1.9

Input capacitance (Common Source) C_iss

V_DS= 10V, V_GS= 0, f = 1MHz

Reverse transfer capacitance (Common Source) C_rss

V_DS= 10V, V_GS= 0, R_g= 100kΩ

Noise figure

2.5

f = 100Hz

^*I_DSSrank classification

Runk

I_DSS(mA)

1 to 3

2BP

2 to 6.5

2BQ

5 to 12

2BR

10 to 20

2BS

Marking Symbol

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