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2SK3737-5

更新时间： 2024-11-21 14:39:27
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
4页 29K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,15V V(BR)DSS,30MA I(D),SOT-323

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2SK3737-5 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：,
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.84
配置：Single最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.03 A
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YESBase Number Matches：1

2SK3737-5 数据手册

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Ordering number : ENN8390  
N-Channel Silicon MOSFET  
2SK3737  
FM Tuner, VHF Amplifier Applications  
Features  
• Low noise.  
•
High power gain.  
•
Small reverse transfer capacitance.  
Specifications  
Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C  
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Symbol  
Conditions  
Ratings  
Unit  
V
V
15  
±5  
DS  
GS  
Gate-to-Source Voltage  
Drain Current  
V
V
I
30  
mA  
mW  
°C  
D
Allowable Power Dissipation  
Channel Temperature  
Storage Temperature  
P
150  
150  
D
Tch  
Tstg  
--55 to +150  
°C  
Electrical Characteristics at Ta=25°C  
Ratings  
typ  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
=--4V, I =100µA  
Unit  
min  
max  
Drain-to-Source Voltage  
Gate-to-Source Leakage Current  
Zero-Gate Voltage Drain Current  
Cutoff Voltage  
V
V
V
V
V
V
V
V
V
15  
V
nA  
mA  
V
DSX  
GS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
DS  
D
I
=0V, V =±5V  
GS  
±10  
12*  
GSS  
I
=10V, V =0V  
GS  
6.0*  
11  
DSS  
V (off)  
GS  
yfs  
=10V, I =100µA  
--2.2  
D
Forward Transfer Admittance  
Input Capacitance  
=10V, V =0V, f=1kHz  
GS  
16  
mS  
pF  
pF  
Ciss  
Crss  
=10V, V =0V, f=1MHz  
GS  
2.4  
Reverse Transfer Capacitance  
=10V, V =0V, f=1MHz  
GS  
0.035  
=10V, V =0V, f=100MHz  
GS  
Power Gain  
PG  
NF  
35  
dB  
dB  
See specified Test Circuit.  
V
DS  
=10V, V =0V, f=100MHz  
GS  
Noise Figure  
2.0  
See specified Test Circuit.  
Marking : KA  
* : The 2SK3737 is classified by I  
as follows (unit : mA) :  
DSS  
Rank  
5
6
I
6 to 10  
8 to 12  
DSS  
Any and all SANYO products described or contained herein do not have specifications that can handle  
applications that require extremely high levels of reliability, such as life-support systems, aircraft's  
control systems, or other applications whose failure can be reasonably expected to result in serious  
physical and/or material damage. Consult with your SANYO representative nearest you before using  
any SANYO products described or contained herein in such applications.  
SANYO assumes no responsibility for equipment failures that result from using products at values that  
exceed, even momentarily, rated values (such as maximum ratings, operating condition ranges, or other  
parameters) listed in products specifications of any and all SANYO products described or contained  
herein.  
SANYO Electric Co.,Ltd. Sem iconductor Com pany  
TOKYO OFFICE Tokyo Bldg., 1-10, 1 Chome, Ueno, Taito-ku, TOKYO, 110-8534 JAPAN  
71505AD MS IM TB-00001592 No.8390-1/4  
1234

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与2SK3737-5相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK3737-6 ONSEMI

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 0.03A I(D), 15V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
2SK3738 SANYO

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 		Impedance Converter Applications
2SK3738_12 SANYO

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 		N-Channel Junction Silicon FET Impedance Converter Applications
2SK3738-TL-E SANYO

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 		N-Channel Junction Silicon FET Impedance Converter Applications
2SK3738-TL-E ONSEMI

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2SK373GR ETC

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2SK373-GR TOSHIBA

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2SK373O ETC

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