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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3728-01MR
2SK3728-01MR PDF预览

2SK3728-01MR

更新时间： 2024-11-07 07:32:39
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
4页 104K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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2SK3728-01MR 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-220AB
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.76Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：127.2 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：900 V
最大漏极电流 (ID)：2.2 A最大漏源导通电阻：8 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：8.8 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK3728-01MR 数据手册

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2SK3728-01MR  
200305  
FUJI POWER MOSFET  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Super FAP-G Series  
Outline Drawings [mm]  
TO-220F  
Features  
High speed switching  
Low on-resistance  
No secondary breadown  
Low driving power  
Avalanche-proof  
Applications  
Switching regulators  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
DC-DCconverters  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Drain-source voltage  
Symbol  
VDS  
VDSX  
ID  
Ratings  
900  
900  
±2.2  
±8.8  
±30  
Unit  
V
V
*5  
Equivalent circuit schematic  
A
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
A
ID(puls]  
VGS  
V
Gate-source voltage  
Drain(D)  
A
Repetitive or non-repetitive  
Maximum Avalanche Energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak Diode Recovery dV/dt  
Max. power dissipation  
IAR  
*2  
*1  
2.2  
127.2  
40  
mJ  
EAS  
kV/µs  
dVDS/dt *4  
dV/dt  
*3  
5
kV/µs  
W
Gate(G)  
°C  
°C  
PD Ta=25  
Tc=25  
Tch  
2.16  
Source(S)  
26  
Operating and storage  
temperature range  
Isolation Voltage  
+150  
-55 to +150  
°C  
Tstg  
°C  
VISO  
*6  
2000  
Vrms  
<
*1 L=48.2mH, Vcc=90V, Tch=25°C See to Avalanche Energy Graph *2 Tch 150°C  
=
<
<
<
<
*4 VDS 900V *5 VGS=-30V *6 f=60Hz, t=6-sec.  
=
*3 IF -ID, -di/dt=50A/µs, Vcc BVDSS, Tch 150°C  
=
=
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
Item  
Test Conditions  
Drain-source breakdown voltaget  
Gate threshold voltage  
µ
900  
V
ID= 250 A  
VGS=0V  
µ
3.0  
5.0  
25  
V
ID= 250 A  
VDS=VGS  
µA  
VDS=900V VGS=0V  
Tch=25°C  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
250  
100  
Tch=125°C  
VDS=720V VGS=0V  
VGS=±30V  
VDS=0V  
ID=1.1A VGS=10V  
ID=1.1A VDS=25V  
VDS=25V  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
nA  
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
6.15  
2.2  
250  
36  
2.2  
8.00  
Ω
1.1  
S
Ciss  
375  
55  
pF  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
Output capacitance  
VGS=0V  
3.3  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
f=1MHz  
VCC=600V ID=1.1A  
ns  
17  
6
26  
9
VGS=10V  
26  
28  
39  
td(off)  
tf  
Turn-off time toff  
RGS=10 Ω  
42  
8.3  
12.5  
5.1  
3.3  
QG  
nC  
Total Gate Charge  
VCC=450V  
3.4  
2.2  
QGS  
QGD  
IAV  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
ID=2.2A  
VGS=10V  
2.2  
A
Avalanche capability  
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
L=48.2mH Tch=25°C  
0.90  
0.8  
1.50  
VSD  
trr  
Qrr  
V
IF=2.2A VGS=0V Tch=25°C  
IF=2.2A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
µs  
µC  
2.2  
Tch=25°C  
Thermalcharacteristics  
Item  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
Test Conditions  
Rth(ch-c)  
channel to case  
4.808  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
58.0  
°C/W  
1
1234

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