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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3688-01SJ
2SK3688-01SJ PDF预览

2SK3688-01SJ

更新时间： 2024-09-28 07:32:35
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
4页 235K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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2SK3688-01SJ 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.69
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：242.7 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (ID)：16 A
最大漏源导通电阻：0.57 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：64 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK3688-01SJ 数据手册

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2SK3688-01L,S,SJ  
FUJI POWER MOSFET  
200509  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Super FAP-G Series  
Outline Drawings [mm]  
Features  
High speed switching  
Low on-resistance  
No secondary breadown  
Low driving power  
Avalanche-proof  
P4  
Applications  
Switching regulators  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
DC-DCconverters  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
VDS  
Ratings  
600  
600  
±16  
±64  
±30  
16  
Unit  
V
Remarks  
Drain-source voltage  
V
VGS=-30V  
VDSX  
ID  
A
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
Equivalent circuit schematic  
A
ID(puls]  
VGS  
V
Gate-source voltage  
<
A
Tch 150°C  
=
Drain(D)  
Repetitive or non-repetitive  
Maximum avalanche energy  
Maximum drain-source dV/dt  
Peak diode recovery dV/dt  
Max. power dissipation  
IAR  
mJ  
kV/μs  
kV/μs  
W
*1  
<
EAS  
242.7  
20  
VDS 600V  
=
dVDS/dt  
dV/dt  
PD  
*2  
5
1.67  
°C  
°C  
Ta=25  
Gate(G)  
270  
Tc=25  
Source(S)  
Operating and storage  
temperature range  
Isolation voltage  
Tch  
+150  
°C  
Tstg  
VISO  
-55 to +150 °C  
kVrms  
t=60sec, f=60Hz  
2
*1 L=1.74mH, Vcc=60V, See to Avalanche Energy Graph  
<
<
<
*2 IF -ID, -di/dt=50A/μs, Vcc BVDSS, Tch 150°C  
=
=
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Symbol  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
Item  
Test Conditions  
μ
Drain-source breakdown voltage  
Gate threshold voltage  
600  
3.0  
V
ID= 250 A  
VGS=0V  
VDS=VGS  
μ
5.0  
25  
V
ID= 250 A  
μA  
VDS=600V VGS=0V  
Tch=25°C  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
250  
100  
Tch=125°C  
VDS=480V VGS=0V  
VGS=±30V  
VDS=0V  
ID=8A VGS=10V  
ID=8A VDS=25V  
VDS=25V  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
10  
0.42  
nA  
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
0.57  
Ω
S
6.5  
13  
1590  
200  
11  
Ciss  
2390  
300  
17  
pF  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
Output capacitance  
VGS=0V  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
f=1MHz  
VCC=300V ID=8A  
ns  
29  
43.5  
16  
24  
87  
12  
51  
18  
15  
VGS=10V  
58  
td(off)  
tf  
Turn-off time toff  
RGS=10 Ω  
8
34  
QG  
nC  
Total Gate Charge  
VCC=300V  
ID=16A  
12  
QGS  
QGD  
IAV  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
10  
VGS=10V  
16  
A
Avalanche capability  
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
L=1.74mH Tch=25°C  
1.00  
1.50  
VSD  
trr  
Qrr  
V
IF=16A VGS=0V Tch=25°C  
IF=16A VGS=0V  
0.68  
7.8  
μs  
μC  
-di/dt=100A/μs  
Tch=25°C  
Thermalcharacteristics  
Item  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
Test Conditions  
Rth(ch-c)  
channel to case  
0.463  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
75.0  
°C/W  
http://www.fujielectric.co.jp/fdt/scd/  
1
1234

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与2SK3688-01SJ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK3689-01 FUJI

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 		N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3689-01SC FUJI

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 		Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.57ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
2SK368GR ETC

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 		TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 2.6MA I(DSS) | SOT-23
2SK368-GR TOSHIBA

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