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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3685-01
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2SK3685-01

更新时间： 2024-11-16 07:32:35
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
4页 110K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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2SK3685-01 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-247
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.76Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：245.3 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：500 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：19 A
最大漏极电流 (ID)：19 A最大漏源导通电阻：0.38 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：235 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：76 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK3685-01 数据手册

 浏览型号2SK3685-01的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK3685-01的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK3685-01的Datasheet PDF文件第4页 
2SK3685-01  
FUJI POWER MOSFET  
200401  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Super FAP-G Series  
Outline Drawings [mm]  
Features  
High speed switching  
No secondary breadown  
Avalanche-proof  
Low on-resistance  
11.6±0.2  
Low driving power  
Applications  
Switching regulators  
DC-DC converters  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol Ratings  
Unit  
V
Remarks  
Drain-source voltage  
VDS  
VDSX  
ID  
500  
500  
±19  
±76  
±30  
19  
V
VGS=-30V  
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
Gate-source voltage  
Non-Repetitive  
A
ID(puls]  
VGS  
IAS  
A
V
Equivalent circuit schematic  
<
A
Tch 150°C  
=
Maximum avalanche current  
Non-Repetitive  
EAS  
245.3  
mJ  
L=1.25mH  
Drain(D)  
Maximum avalanche energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak diode recovery dV/dt  
Max. power dissipation  
VCC=50V *2  
<
dVDS/dt  
dV/dt  
PD  
20  
5
kV/s  
kV/µs  
W
VDS 500V  
=
*3  
2.50  
Ta=25°C  
Tc=25°C  
Gate(G)  
235  
Source(S)  
Operating and storage  
temperature range  
Tch  
+150  
°C  
°C  
Tstg  
-55 to +150  
*2 See to Avalanche Energy Graph  
<
<
<
*3 IF -ID, -di/dt=50A/µs, VCC BVDSS, Tch 150°C  
=
=
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Item  
Symbol  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
Test Conditions  
µ
Drain-source breakdown voltaget  
Gate threshold voltage  
ID= 250 A  
VGS=0V  
V
500  
µ
ID= 250 A  
VDS=VGS  
V
3.0  
5.0  
25  
µA  
Tch=25°C  
VDS=500V VGS=0V  
VDS=400V VGS=0V  
VGS=±30V  
VDS=0V  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
Tch=125°C  
250  
100  
nA  
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
10  
ID=9.5A VGS=10V  
0.29  
0.38  
Ω
S
ID=9.5A VDS=25V  
VDS=25V  
7.5  
15  
1560  
230  
8
Ciss  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
pF  
2340  
345  
12  
Output capacitance  
VGS=0V  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
f=1MHz  
VCC=300V ID=9.5A  
ns  
29  
43.5  
13  
19.5  
84  
VGS=10V  
56  
Turn-off time toff  
td(off)  
tf  
RGS=10 Ω  
8
12  
34  
51  
nC  
Total Gate Charge  
QG  
VCC=250V  
ID=19A  
13  
19.5  
15  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
QGS  
QGD  
IAV  
10  
VGS=10V  
19  
A
Avalanche capability  
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
L=1.25mH Tch=25°C  
1.20  
1.50  
V
VSD  
IF=19A VGS=0V Tch=25°C  
IF=19A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
Tch=25°C  
0.57  
7.0  
µs  
µC  
trr  
Qrr  
Thermalcharacteristics  
Item  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
Test Conditions  
Rth(ch-c)  
channel to case  
0.532  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
50.0  
°C/W  
1
1234

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