生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
风险等级: | 5.71 | 雪崩能效等级(Eas): | 245.3 mJ |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 500 V | 最大漏极电流 (ID): | 19 A |
最大漏源导通电阻: | 0.38 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 76 A | 认证状态: | Not Qualified |
表面贴装: | YES | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK3685-01 | SANYO |
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POWER MOSFET N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
2SK3685-01 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
2SK3686-01 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
2SK3686-01_05 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
2SK3687-01MR | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Super FAP-G Series | |
2SK3687-01MR_05 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
2SK3688-01L | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
2SK3688-01S | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
2SK3688-01SJ | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
2SK3689-01 | FUJI |
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N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET |