5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3681-01
2SK3681-01 PDF预览

2SK3681-01

更新时间： 2024-11-16 07:32:35
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
4页 121K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SK3681-01 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-247
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownHTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.71Is Samacsys：N
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：43 A最大漏源导通电阻：0.16 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-247
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：172 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK3681-01 数据手册

 浏览型号2SK3681-01的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK3681-01的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK3681-01的Datasheet PDF文件第4页 
2SK3681-01  
200401  
FUJI POWER MOSFET  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Super FAP-G Series  
Outline Drawings [mm]  
Features  
High speed switching  
No secondary breadown  
Avalanche-proof  
Low on-resistance  
11.6±0.2  
Low driving power  
Applications  
Switching regulators  
DC-DC converters  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol Ratings  
Unit  
Remarks  
V
Drain-source voltage  
VDS  
VDSX  
ID  
600  
600  
±43  
±172  
±30  
43  
V
A
A
V
A
VGS=-30V  
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
Gate-source voltage  
Non-Repetitive  
ID(puls]  
VGS  
IAS  
Tch=25°C  
*1  
<
Maximum avalanche current  
Repetitive or  
Equivalent circuit schematic  
A
Tch 150°C  
=
IAR  
21.5  
*1  
Maximum avalanche current  
Non-Repetitive  
mJ  
L=802µH  
VCC=60V *2  
EAS  
808.9  
Drain(D)  
Maximum avalanche energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak diode recovery dV/dt  
Max. power dissipation  
<
kV/s  
VDS 600V  
dVDS/dt  
dV/dt  
PD  
20  
5
=
kV/µs *3  
Ta=25°C  
Tc=25°C  
W
2.50  
Gate(G)  
600  
Source(S)  
°C  
°C  
Operating and storage  
temperature range  
Tch  
+150  
-55 to +150  
Tstg  
*1 See to Avalanche Current Graph  
*2 See to Avalanche Energy Graph  
<
<
<
*3 IF -ID, -di/dt=50A/µs, VCC BVDSS, Tch 150°C  
=
=
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Item  
Symbol  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
Test Conditions  
µ
Drain-source breakdown voltaget  
Gate threshold voltage  
600  
V
ID= 250 A  
VGS=0V  
VDS=VGS  
µ
V
3.0  
5.0  
25  
ID= 250 A  
µA  
Tch=25°C  
VDS=600V VGS=0V  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
250  
100  
Tch=125°C  
VDS=480V VGS=0V  
VGS=±30V  
VDS=0V  
ID=26A VGS=10V  
nA  
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
10  
0.12  
0.16  
Ω
15  
30  
5360  
680  
40  
S
ID=21.5A VDS=25V  
Ciss  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
8040  
1020  
60  
pF  
VDS=25V  
Output capacitance  
VGS=0V  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
f=1MHz  
VCC=300V ID=21.5A  
ns  
80  
120  
131  
285  
66  
87  
VGS=10V  
190  
44  
Turn-off time toff  
td(off)  
tf  
RGS=10 Ω  
112  
34  
168  
51  
nC  
Total Gate Charge  
QG  
VCC=300V  
ID=43A  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
QGS  
QGD  
IAV  
40  
60  
VGS=10V  
43  
µ
A
Avalanche capability  
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
L=802 H Tch=25°C  
1.00  
0.98  
22.0  
1.50  
V
VSD  
IF=43A VGS=0V Tch=25°C  
IF=43A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
Tch=25°C  
µs  
µC  
trr  
Qrr  
Thermalcharacteristics  
Item  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
Test Conditions  
Rth(ch-c)  
channel to case  
0.208  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
50.0  
°C/W  
1
1234

中文翻译

下载PDF

2SK3681-01 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXTH36N50P IXYS

功能相似

 PolarHV Power MOSFET
IXFH36N50P IXYS

功能相似

 PolarHV HiPerFET Power MOSFET
IXFH26N50P IXYS

功能相似

 Avalanche Rated Fast Instrinsic Diode

与2SK3681-01相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK3682-01 FUJI

获取价格

 		N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3683 FUJI

获取价格

 		Fuji Power MOSFET SuperFAP-G series Target Specification
2SK3683-01MR FUJI

获取价格

 		Fuji Power MOSFET SuperFAP-G series Target Specification
2SK3684-01L FUJI

获取价格

 		N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3684-01S FUJI

获取价格

 		N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3684-01SJ FUJI

获取价格

 		N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3685-01 SANYO

获取价格

 		POWER MOSFET N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3685-01 FUJI

获取价格

 		N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3686-01 FUJI

获取价格

 		N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET
2SK3686-01_05 FUJI

获取价格

 		N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

与2SK3681-01相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证