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2SK3680-01_04

更新时间： 2024-09-28 07:32:35
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富士电机 - FUJI /
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4页 114K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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2SK3680-01_04 数据手册

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2SK3680-01  
200401  
FUJI POWER MOSFET  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Super FAP-G Series  
Outline Drawings [mm]  
Features  
High speed switching  
No secondary breadown  
Avalanche-proof  
Low on-resistance  
11.6±0.2  
Low driving power  
Applications  
Switching regulators  
DC-DC converters  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol Ratings  
Unit  
Remarks  
V
Drain-source voltage  
VDS  
VDSX  
ID  
500  
500  
±52  
±208  
±30  
52  
V
A
A
V
A
VGS=-30V  
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
Gate-source voltage  
Non-Repetitive  
ID(puls]  
VGS  
IAS  
Tch=25°C  
*1  
<
Maximum avalanche current  
Repetitive or  
Equivalent circuit schematic  
A
Tch 150°C  
=
IAR  
26  
*1  
Maximum avalanche current  
Non-Repetitive  
mJ  
L=544µH  
VCC=50V *2  
EAS  
802.7  
Drain(D)  
Maximum avalanche energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak diode recovery dV/dt  
Max. power dissipation  
<
kV/s  
VDS 500V  
dVDS/dt  
dV/dt  
PD  
20  
5
=
kV/µs *3  
Ta=25°C  
Tc=25°C  
W
2.50  
Gate(G)  
600  
Source(S)  
°C  
°C  
Operating and storage  
temperature range  
Tch  
+150  
-55 to +150  
Tstg  
*1 See to Avalanche Current Graph  
*2 See to Avalanche Energy Graph  
<
<
<
*3 IF -ID, -di/dt=50A/µs, VCC BVDSS, Tch 150°C  
=
=
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Test Conditions  
Item  
Symbol  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
µ
ID= 250 A  
VGS=0V  
Drain-source breakdown voltaget  
Gate threshold voltage  
500  
V
µ
ID= 250 A  
VDS=VGS  
V
3.0  
5.0  
25  
Tch=25°C  
µA  
VDS=500V VGS=0V  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
Tch=125°C  
250  
100  
VDS=400V VGS=0V  
VGS=±30V VDS=0V  
nA  
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
10  
ID=26A VGS=10V  
0.09  
0.11  
Ω
15  
30  
5350  
760  
42  
S
ID=26A VDS=25V  
VDS=25V  
Ciss  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
8025  
1140  
63  
pF  
VGS=0V  
Output capacitance  
f=1MHz  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
ns  
VCC=300V ID=26A  
80  
120  
155  
285  
74  
103  
190  
49  
VGS=10V  
Turn-off time toff  
td(off)  
tf  
RGS=10 Ω  
114  
36  
171  
54  
VCC=250V  
ID=52A  
nC  
Total Gate Charge  
QG  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
QGS  
QGD  
IAV  
40  
60  
VGS=10V  
µ
52  
L=544 H Tch=25°C  
A
Avalanche capability  
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
1.00  
0.83  
19.0  
1.50  
IF=52A VGS=0V Tch=25°C  
IF=52A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
Tch=25°C  
V
VSD  
µs  
µC  
trr  
Qrr  
Thermalcharacteristics  
Item  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
Test Conditions  
Rth(ch-c)  
channel to case  
0.208  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
50.0  
°C/W  
1
1234

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