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2SK3653J4

更新时间： 2024-11-16 14:46:23

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	44K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, 0814, SOF-3

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2SK3653J4 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	0814, SOF-3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.69	外壳连接：	GATE
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最大漏极电流 (ID)：	0.01 A
FET 技术：	JUNCTION	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	DEPLETION MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3653J4 数据手册

DATA SHEET

JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3653

N-CHANNEL SILICON JUNCTION FIELD EFFECT TRANSISTOR

FOR IMPEDANCE CONVERTER OF ECM

PACKAGE DRAWING (Unit: mm)

DESCRIPTION

The 2SK3653 is suitable for converter of ECM.

0.3 ±0.05

0.13 ⁺^–0⁰^.^.⁰¹⁵

FEATURES

• Compact package

0~0.05

• High forward transfer admittance

1000 µS TYP. (I^DSS= 100 µA)

1600 µS TYP. (I^DSS= 200 µA)

• Includes diode and high resistance at G - S

0.9

1.4 ±0.1

ORDERING INFORMATION

MAX. 0.4

PART NUMBER

2SK3653

PACKAGE

3pinXSOF (0814)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

+0.1

–0

0.2

Drain to Source Voltage ^Note1

V^DSX

–20

Gate to Drain Voltage

Drain Current

V^GDO

I^D

EQUIVALENT CIRCUIT

°C

Gate Current

I^G

Total Power Dissipation ^Note2

Junction Temperature

Storage Temperature

Drain

P^T

T^j

125

Gate

T^stg

–55 to +125 °C

Source

Notes 1. V^GS= –1.0 V

2. Mounted on ceramic substrate of 3.0 cm²x 0.64 mm

Remark Please take care of ESD (Electro Static Discharge) when you handle the device in this document.

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No.

Date Published June 2002 NS CP(K)

Printed in Japan

D16293EJ1V0DS00 (1st edition)

2002

12 3 4 5 6

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与2SK3653J4相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3653J4-A	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction
2SK3653J4-AT	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,JFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,85UA I(DSS),SOT-416VAR
2SK3653J4-T1-A	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,JFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,85UA I(DSS),SOT-416VAR
2SK3653J4-T1-AT	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,JFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,85UA I(DSS),SOT-416VAR
2SK3653J5	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction
2SK3653J5-A	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction
2SK3653J6	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction
2SK3653J6-A	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction
2SK3653J6-T1-A	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,JFET,N-CHANNEL,20V V(BR)DSS,185UA I(DSS),SOT-416VAR
2SK3653J7	NEC	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.01A I(D), 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction

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