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2SK3634

更新时间： 2024-01-20 07:09:04

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TYSEMI		晶体栅极二极管晶体管开关
页数	文件大小	规格书
1页	113K
描述
High voltage: VDSS = 200 V Gate voltage rating: 30 V Built-in gate protection diode

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技术参数
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2SK3634 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-252AB
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.33
其他特性：	AVALANCHE RATED	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	200 V
最大漏极电流 (ID)：	6 A	最大漏源导通电阻：	0.6 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3634 数据手册

Product specification

2SK3634

TO-252

Unit: mm

+0.15

-0.15

+0.1

2.30

-0.1

6.50

Features

+0.2

5.30

-0.2

+0.8

0.50

-0.7

High voltage: V^DSS= 200 V

Gate voltage rating: 30 V

0.127

max

R^DS(on)= 0.60

MAX. (V^GS= 10 V, I^D= 3.0 A)

+0.1

0.80

-0.1

Low C^iss: C^iss= 270 pF TYP. (V^DS= 10 V, V^GS= 0 V)

Built-in gate protection diode

+0.1

0.60

-0.1

2.3

4.60

1 Gate

+0.15

-0.15

2 Drain

3 Source

Absolute Maximum Ratings Ta = 25

Parameter

Drain to source voltage

Symbol

V^DSS

V^GSS

I^D

Rating

Unit

200

Gate to source voltage

6.0

Drain current

I^dp*

Power dissipation

TC=25

TA=25

P^D

1.0

Channel temperature

Storage temperature

T^ch

150

T^stg

-55 to +150

* PW 10 s,Duty Cycle 1%

Electrical Characteristics Ta = 25

Parameter

Drain cut-off current

Gate leakage current

Gate cut off voltage

Forward transfer admittance

Drain to source on-state resistance

Input capacitance

Symbol

I^DSS

Testconditons

Min

Typ

Max

Unit

V^DS=200V,V^GS=0

V^GS= 30V,V^DS=0

V^DS=10V,I^D=1mA

V^DS=10V,I^D=3.0A

V^GS=10V,I^D=3.0A

I^GSS

V^GS(off)

2.5

3.5

4.5

Y^fs

R^DS(on)

C^iss

C^oss

C^rss

t^on

0.47 0.60

270

V^DS=10V,V^GS=0,f=1MHZ

Output capacitance

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

Rise time

t^r

I^D=3.0A,V^GS(on)=10V,R^G=0 ,V^DD=100V

Turn-off delay time

Fall time

t^off

Total Gate Charge

Q^G

V^DD= 160V

V^GS= 10 V

I^D= 6.0A

Gate to Source Charge

Gate to Drain Charge

Q^GS

Q^GD

1.5

4.5

http://www.twtysemi.com

sales@twtysemi.com

1 of 1

4008-318-123

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