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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> 2SK3539
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2SK3539

更新时间： 2024-11-04 22:52:59
品牌 Logo 应用领域
松下 - PANASONIC 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 84K
描述
Silicon N-channel MOSFET

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2SK3539 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-70包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.83配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：50 V最大漏极电流 (ID)：0.1 A
最大漏源导通电阻：15 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G3JESD-609代码：e6
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin/Bismuth (Sn/Bi)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK3539 数据手册

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Silicon MOSFETs (Small Signal)  
2SK3539  
Silicon N-channel MOSFET  
Unit: mm  
+0.10  
+0.1  
–0.0  
For switching  
0.15  
0.3  
–0.05  
3
■ Features  
• High-speed switching  
• Wide frequency band  
• Gate protection diode built-in  
1
2
(0.65) (0.65)  
1.3 0.1  
2.0 0.2  
■ Absolute Maximum Ratings Ta = 25°C  
10˚  
Parameter  
Drain-source voltage  
Symbol  
VDS  
VGSO  
ID  
Rating  
Unit  
V
50  
1: Gate  
2: Source  
3: Drain  
Gate-source voltage (Drain open)  
Drain current  
7
100  
V
mA  
mA  
mW  
°C  
EIAJ: SC-70  
SMini3-G1 Package  
Peak drain current  
IDP  
200  
Power dissipation  
PD  
150  
Marking Symbol: 5F  
Channel temperature  
Storage temperature  
Tch  
150  
Tstg  
−55 to +150  
°C  
■ Electrical Characteristics Ta = 25°C 3°C  
Parameter  
Symbol  
VDSS  
IDSS  
Conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
Drain-source surrender voltage  
Drain-source cutoff current  
Gate-Source cutoff current  
Gate threshold voltage  
ID = 10 µA, VGS = 0  
VDS = 50 V, VGS = 0  
VGS 7 V, VDS = 0  
50  
1.0  
5.0  
1.5  
15  
µA  
µA  
V
IGSS  
=
Vth  
ID = 1.0 µA, VDS = 3 V  
0.9  
20  
1.2  
8
Drain-source ON resistance  
RDS(on)  
ID = 10 mA, VGS = 2.5 V  
Ω
ID = 10 mA, VGS = 4.0 V  
6
12  
Forward trancfer admitance  
Yfs  
ID = 10 mA, VDS = 3 V, f = 1 kHz  
VDS = 3 V, VGS = 0, f = 1 MHz  
60  
12  
mS  
pF  
Short-circuit forward transfer  
capacitance (Common source)  
Ciss  
Short-circuit output capacitance (Common source)  
Reverse transfer capacitance (Common source)  
Turn-on time *  
Coss  
Crss  
ton  
7
pF  
pF  
ns  
ns  
3
VDD = 3 V, VGS = 0 V to 3 V, RL = 470 Ω  
VDD = 3 V, VGS = 3 V to 0 V, RL = 470 Ω  
200  
200  
Turn-off time *  
toff  
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.  
2. : ton , toff test circuit  
*
VOUT  
470 Ω  
90%  
10%  
VIN  
VGS = 3.0 V  
50 Ω  
VDD = 3 V  
VOUT  
10%  
90%  
ton  
toff  
Publication date: January 2004  
SJF00035BED  
1
123

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