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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3535-01
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2SK3535-01

更新时间： 2024-09-14 03:57:23
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
4页 116K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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2SK3535-01 技术参数

生命周期：Active包装说明：TFP, 4 PIN
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.75
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：251.9 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：250 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：25 A
最大漏极电流 (ID)：3.4 A最大漏源导通电阻：0.1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：S-XBCC-N4
元件数量：1端子数量：4
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：UNSPECIFIED封装形状：SQUARE
封装形式：CHIP CARRIER极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：135 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：148 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子形式：NO LEAD
端子位置：BOTTOM晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

2SK3535-01 数据手册

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FUJI POWER MOSFET  
200304  
2SK3535-01  
Super FAP-G Series  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Outline Drawings [mm]  
Features  
High speed switching  
Low on-resistance  
No secondary breadown  
Low driving power  
Avalanche-proof  
Applications  
for Switching  
Foot Print Pattern  
Absolute Maximum Ratings at Tc=25°C  
( unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
VDS  
Ratings  
250  
Unit  
V
Remarks  
Equivalent circuit schematic  
Drain-source voltage  
(4) Drain(D)  
VGS=30V  
V
VDSX  
ID  
220  
±37  
A
Continuous drain current  
Ta=25°C  
A
±3.4 *4  
(1) Gate(G)  
A
Pulsed drain current  
ID(puls]  
VGS  
IAR  
±148  
±30  
37  
V
Gate-source voltage  
A
Repetitive or non-repetitive  
Maximum Avalanche Energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak Diode Recovery dV/dt  
Max. power dissipation  
*2  
(3) Source(S)  
mJ  
EAS *1  
dVDS/dt  
dV/dt *3  
PD  
251.9  
20  
(2) Source(S)  
[power line]  
<
[signal line]  
VDS 250V  
=
kV/µs  
kV/µs  
W
5
Ta=25°C  
2.4 *4  
270  
+150  
-55 to +150  
W
Operating and storage  
temperature range  
Tch  
°C  
Tstg  
°C  
<
<
<
<
*3 IF -ID, -di/dt=50A/µs, Vcc BVDSS, Tch 150°C  
*1 L=0.309mH, Vcc=48V, See to Avalanche Energy Graph *2 Tch 150°C  
=
=
=
=
*4 Surface mounted on 1000mm2, t=1.6mm FR-4 PCB(Drain pad area:500mm2)  
Electrical characteristics atTc =25°C ( unless otherwise specified)  
Test Conditions  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
Item  
µ
ID=250 A  
VGS=0V  
VDS=VGS  
V
Drain-source breakdown voltaget  
Gate threshold voltage  
250  
µ
ID= 250 A  
V
3.0  
5.0  
Tch=25°C  
µA  
25  
VDS=250V VGS=0V  
VDS=200V VGS=0V  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
Tch=125°C  
250  
VDS=0V  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
nA  
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
VGS=±30V  
10  
75  
100  
ID=12.5A VGS=10V  
mΩ  
S
100  
ID=12.5A VDS=25V  
VDS=75V  
8
16  
Ciss  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
pF  
2000  
220  
15  
3000  
330  
30  
VGS=0V  
Output capacitance  
f=1MHz  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
ns  
VCC=72V ID=12.5A  
20  
30  
VGS=10V  
30  
45  
td(off)  
tf  
60  
90  
Turn-off time toff  
RGS=10 Ω  
20  
30  
VCC=72V  
ID=25A  
QG  
nC  
44  
66  
Total Gate Charge  
QGS  
QGD  
IAV  
14  
21  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
VGS=10V  
16  
24  
µ
L=309 H Tch=25°C  
37  
A
Avalanche capability  
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
IF=25A VGS=0V Tch=25°C  
IF=25A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
Tch=25°C  
VSD  
1.10  
1.65  
V
trr  
Qrr  
0.45  
1.5  
µs  
µC  
Thermalcharacteristics  
Item  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
Test Conditions  
Rth(ch-c)  
channel to case  
0.463 °C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
channel to ambient  
87.0  
52.0  
°C/W  
°C/W  
*4  
1
1234

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