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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3526-01S
2SK3526-01S PDF预览

2SK3526-01S

更新时间： 2024-09-14 03:02:55
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
4页 256K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

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2SK3526-01S 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.71
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：193 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6 A
最大漏极电流 (ID)：6 A最大漏源导通电阻：1.2 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：65 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：24 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3526-01S 数据手册

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2SK3526-01L,S,SJ  
200304  
FUJI POWER MOSFET  
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET  
Outline Drawings [mm]  
Super FAP-G Series  
Features  
High speed switching  
Low on-resistance  
No secondary breadown  
Low driving power  
Avalanche-proof  
P4  
Applications  
Switching regulators  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
DC-DCconverters  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Item  
Symbol  
VDS  
Ratings  
600  
Unit  
V
Drain-source voltage  
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
Gate-source voltage  
Repetitive or non-repetitive  
Maximum Avalanche Energy  
Maximum Drain-Source dV/dt  
Peak Diode Recovery dV/dt  
Max. power dissipation  
A
ID  
±8  
±32  
±30  
8
A
ID(puls]  
VGS  
V
Drain(D)  
A
IAR  
*2  
*1  
mJ  
kV/µs  
kV/µs  
W
EAS  
145.6  
20  
dVDS/dt *4  
dV/dt  
*3  
5
Gate(G)  
°C  
°C  
PD Ta=25  
Tc=25  
Tch  
1.67  
Source(S)  
135  
+150  
-55 to +150  
Operating and storage  
temperature range  
°C  
°C  
Tstg  
<
*1 L=4.2mH, Vcc=60V, See to Avalanche Energy Graph *2 Tch 150°C  
=
<
<
<
<
*3 IF -ID, -di/dt=50A/µs, Vcc BVDSS, Tch 150°C  
*4 VDS 600V  
=
=
=
=
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
Test Conditions  
Item  
µ
ID= 250 A  
VGS=0V  
VDS=VGS  
Drain-source breakdown voltaget  
Gate threshold voltage  
600  
V
µ
ID= 250 A  
3.0  
5.0  
25  
V
Tch=25°C  
µA  
VDS=600V VGS=0V  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
Tch=125°C  
250  
100  
VDS=480V VGS=0V  
VGS=±30V VDS=0V  
IGSS  
RDS(on)  
gfs  
10  
nA  
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
ID=3A VGS=10V  
0.93  
1.20  
Ω
3
6
750  
100  
S
ID=3A VDS=25V  
VDS=25V  
Ciss  
1130  
150  
pF  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
VGS=0V  
Output capacitance  
f=1MHz  
4.0  
6.0  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
ns  
VCC=300V ID=3A  
14  
9
21  
14  
VGS=10V  
24  
7
36  
td(off)  
tf  
Turn-off time toff  
RGS=10 Ω  
10.5  
30  
20  
QG  
VCC=300V  
ID=6A  
nC  
Total Gate Charge  
8.5  
13  
QGS  
QGD  
IAV  
Gate-Source Charge  
Gate-Drain Charge  
5.5  
8.5  
VGS=10V  
8
L=4.2mH Tch=25°C  
A
Avalanche capability  
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
1.00  
0.7  
1.50  
VSD  
trr  
Qrr  
IF=6A VGS=0V Tch=25°C  
IF=6A VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
V
µs  
µC  
3.5  
Tch=25°C  
Thermalcharacteristics  
Item  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
Test Conditions  
Rth(ch-c)  
channel to case  
0.926  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
75.0  
°C/W  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK3526-01SJ FUJI

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